由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實際開關中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]驅動電路的主要作用是將控制電路產生的微弱信號放大，以驅動功率開關器件的開斷。徐匯區通用驅動電路生產企業

這樣一來，輸出高低電平時，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗，提高了每個管的承受能力。又由于不論走哪一路，管子導通電阻都很小，使 RC 常數很小，轉變速度很快。因此，推拉式輸出級既提高電路的負載能力，又提高開關速度。推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制，總是在一個三極管導通的時候另一個截止。要實現線與需要用 OC（open collector）門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合，廣泛應用于功放電路和開關電源中。楊浦區挑選驅動電路設計繼電器驅動電路：通過控制繼電器的開關來驅動高功率負載，適用于需要隔離控制信號和負載的場合。

驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能，以實現主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離，是一種電路簡單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節：· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流。· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數據表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。傳感器驅動：驅動電路可以將傳感器檢測到的物理量轉換為電信號，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。

在安裝驅動程序時，Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下，以備將來使用。Inf目錄下除了有.inf文件外，還有兩個特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它們都是Windows為了加快處理速度而自動生成的二進制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設備，也許朋友們會有印象：當我們在安裝某些設備時，經常會看到一個“創建驅動程序信息庫”的窗口，此時Windows便正在生成這兩個二進制文件。優良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗，提高能量轉換效率，并降低電磁干擾（EMI/EMC）。奉賢區國產驅動電路銷售廠

驅動電路的設計通常需要考慮負載的電流、電壓要求，以及控制信號的特性。徐匯區通用驅動電路生產企業

非隔離驅動電路：不具有電氣隔離結構，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。按常見形式分類：直接驅動：由單個電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅動電路，多用于功能簡單的小功率驅動場合。隔離驅動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。**驅動集成芯片：在數字電源中應用***，許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。功率開關管常用驅動MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅動電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅動，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進行驅動。徐匯區通用驅動電路生產企業

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