當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。 [4]反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示 [4]。楊浦區優勢二極管生產企業

高亮度單色發光二極管高亮度單色發光二極管和超高亮度單色發光二極管使用的半導體材料與普通單色發光二極管不同，所以發光的強度也不同。通常，高亮度單色發光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，超高亮度單色發光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單色發光二極管使用磷化鎵（GaP）或磷砷化鎵（GaAsP）等材料。變色發光二極管變色發光二極管是能變換發光顏色的發光二極管。變色發光二極管發光顏色種類可分為雙色發光二極管、三色發光二極管和多色（有紅、藍、綠、白四種顏色）發光二極管。上海推廣二極管量大從優二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。

當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。 [4]發光二極管發光二極管發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，***用于信號指示等電路中。 [

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED（發光二極管）。 [10]2024年2月5日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所團隊深挖機理、創新工藝，制備出一款高效穩定的鈣鈦礦發光二極管，相關論文發于國際學術期刊《自然·光子學》。 [12]發光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發光二極管加上正向電壓后，從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子，在PN結附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴復合，產生自發輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發出的光的波長越短。常用的是發紅光、綠光或黃光的二極管。發光二極管的反向擊穿電壓大于5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時必須串聯限流電阻以控制通過二極管的電流。二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED。發光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極管發紅光，磷化鎵二極管發綠光，碳化硅二極管發黃光，氮化鎵二極管發藍光。因化學性質又分有機發光二極管OLED和無機發光二極管LED。ED**初用于儀器儀表的指示性照明，隨后擴展到交通信號燈。再到景觀照明、車用照明和手機鍵盤及背光源。后來發展出微型發光二極管(micro-LED)的新技術，其將原本發光二極管的尺寸大幅縮小，用可**發光的紅、藍、綠微型發光二極管成陣列排列形成顯示陣列用于顯示技術領域。微型發光二極管具有自發光顯示特性，比自發光顯示的有機發光二極管(Organic Light Emitting DiodeOLED)效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。上海推廣二極管量大從優

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。楊浦區優勢二極管生產企業

常用的紅外發光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發光二極管基于半導體材料的紫外發光二極管(UV LED)具有節能、環保和壽命長等優點，在殺菌消毒、醫療和生化檢測等領域有重大的應用價值。近年來，半導體紫外光電材料和器件在全球引起越來越多的關注，成為研發熱點。 2018年12月9一12日，由中國科學院半導體研究所主辦的第三屆“國際紫外材料與器件研討會” (IWUMD一2018)在云南昆明召開，來自十二個國家的270余位**出席了會議。本次會議匯聚了國內外在紫外發光二極管材料和器件相關領域的多位前列**的***研發成果報告楊浦區優勢二極管生產企業

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