這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。晶閘管特點“一觸即發”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關S）或使陽極電流小于維持導通的最小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。青浦區好的可控硅現價

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且*需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開關：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統稱。雙 向：Bi-directional(取***個字母)虹口區好的可控硅銷售廠它只有導通和關斷兩種狀態。

設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關處于正向阻斷狀態。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。

⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。閔行區本地可控硅服務熱線

按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種。青浦區好的可控硅現價

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。青浦區好的可控硅現價

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