反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5]PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。奉賢區通用二極管設計

當測量帶環極的光敏二極管時，環極和后極(正極)也相當一個光敏二極管，其性能也具有單向導電作用和見光后反向電阻**下降。區分環極和前極的辦法是，在反向連接情況下，讓不太強的光照在光敏二極管上，阻值略小的是前極，阻值略大的是環極。 [1]PN結型光電二極管與其他類型的光探測器一樣，在諸如光敏電阻、感光耦合元件以及光電倍增管等設備中有著廣泛應用。它們能夠根據所受光的照度來輸出相應的模擬電信號（例如測量儀器）或者在數字電路的不同狀態間切換（例如控制開關、數字信號處理）。嘉定區質量二極管現價在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。

有機發光二極管1987年，柯達公司鄧青云等成功制備了低電壓、高亮度的有機發光二極管（OLED），***次向世界展示了OLED在商業上的應用前景‘“。1995年，Kido在science雜志上發表了白光有機發光二極管（wOLED）的文章， 雖然效率不高，但揭開了OLED照明研究的序幕。經過幾十年的發展，OLED的效率和穩定性早已滿足小尺寸顯示器的要求，受到眾多**儀器儀表、手機和移動終端公司的青睞，大尺寸技術也日漸完善。 [5]OLED材料的發展是OLED產業蓬勃發展的基礎。**早的OLED發光材料是熒光材料，但熒光材料由于自旋阻禁，其理論內量子效率上限*能達到25%。1998年，Ma以及Forrest和Thompson等先后報道了磷光材料在OLED材料中的應用，從而為突破自旋統計規律、100%地利用所有激子的能量開辟了道路。但是磷光材料也存在一定的問題，由于含有貴金屬，價格很高而且藍光材料的穩定性長期停滯不前。

發光二極管的**部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片，在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層，稱為PN結。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。當它處于正向工作狀態時（即兩端加上正向電壓），電流從LED陽極流向陰極時，半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關。當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。

PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。 [6]點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。黃浦區通用二極管貨源充足

隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。奉賢區通用二極管設計

紫外發光二極管是氮化物技術發展和第三代半導體材料技術發展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。中國科技部為了加快第三代半導體固態紫外光源的發展，爭施了“第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術”重點研發計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發計劃的支持和國際紫外材料與器件研討會的舉辦，將為加快實現我國第三代半導體紫外光源的市場化應用，帶動我國紫外半導體發光二極管材料和器件技術創親及產業化發展發揮積極的作用。 [4]奉賢區通用二極管設計

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