表1 IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過(guò)載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過(guò)20 V，原因是一旦發(fā)生過(guò)流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路哪家好

光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開(kāi)通時(shí)： 基極電流有快速上升沿和過(guò)沖—加速開(kāi)通，減小開(kāi)通損耗；2.導(dǎo)通期間：足夠的基極電流，使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗；關(guān)斷前調(diào)整基極電流，使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 ， 關(guān)斷快;金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路哪家好IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開(kāi)發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。

在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。

引言近年來(lái)，高亮度LED照明以高光效、長(zhǎng)壽命、高可靠性和無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源。在一些應(yīng)用中，希望在某些情況下可調(diào)節(jié)燈光的亮度，以便進(jìn)一步節(jié)能和提供舒適的照明。常見(jiàn)的調(diào)光有雙向可控硅調(diào)光、后沿調(diào)光、ON/OFF調(diào)光、遙控調(diào)光等。可控硅調(diào)光器在傳統(tǒng)的白熾燈等調(diào)光照明應(yīng)用已久，且不用改變接線(xiàn)，裝置成本較低，各品牌可控硅調(diào)光器的性能和規(guī)格相差不大，但是其直接應(yīng)用在LED驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合還存在著一系列問(wèn)題。繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過(guò)控制繼電器的開(kāi)關(guān)來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合。

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線(xiàn)的情況下，偶然加主電高壓，通過(guò)米勒電容燒毀IGBT。所以用戶(hù)比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門(mén)極電荷、耐固性和電源情況等。門(mén)極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門(mén)極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門(mén)極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門(mén)極電路的設(shè)計(jì)中，還要注意開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問(wèn)題(見(jiàn)表1)。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。上海本地驅(qū)動(dòng)電路銷(xiāo)售廠

BJT驅(qū)動(dòng)電路：使用雙極型晶體管（BJT）來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載，適合低頻應(yīng)用。金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路哪家好

非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見(jiàn)形式分類(lèi)：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來(lái)組成的驅(qū)動(dòng)電路，多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開(kāi)關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高，在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng)，而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路哪家好

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