鍵合對準機系統 1985年，隨著世界上di一個雙面對準系統的發明，EVG革新了MEMS技術，并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業標準。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準系統提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準系統；EVG620BA鍵合對準系統；EVG6200BA鍵合對準系統；SmartViewNT鍵合對準系統；自動鍵合系統EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。鍵合機有哪些應用

BONDSCALE?自動化生產熔融系統

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術數據

EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰。結合增強的邊緣對準技術，與現有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。 紅外鍵合機技術支持EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當***行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯**造，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中，這是因為其成本效率高且易于應用。在蕞佳環境中，每秒蕞多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。

      盡管球形鍵合的蕞佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。當銅用于球焊時，氮氣以氣態形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 晶圓鍵合系統EVG501是適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合機。官方鍵合機推薦產品

EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。鍵合機有哪些應用

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。鍵合機有哪些應用

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