電子束光刻基本上分兩大類,一類是大生產(chǎn)光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng),另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統(tǒng)。電子束光刻技術起源于掃描電鏡,**早由德意志聯(lián)邦共和國杜平根大學的G.Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決于電子能量,電子能量越高,曝光的波長越短,大 體在10-6nm量級上,因而電子束光刻不受衍射極限的影響,所以電子束光刻可獲得接近于原子尺寸的分辨率。但是,由于電子束入射到抗蝕劑及基片上時,電子會與固體材料的原子發(fā)生“碰撞”產(chǎn)生電子散射現(xiàn)象,包括前散射和背散射電子,這些散射電子同樣也參與“曝光”,前散射電子波及范圍可在幾十納米,從基片上返回抗蝕劑中背散射電子可波及到幾十微米之遠。電子束光刻系統(tǒng)(如EBL 100KV)采用高穩(wěn)定性電子槍和精密偏轉(zhuǎn)控制,定位分辨率達0.0012nm [2]。虎丘區(qū)供應光刻系統(tǒng)五星服務

光致抗蝕劑,簡稱光刻膠或抗蝕劑,指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑:受光照部分發(fā)生降解反應而能為顯影液所溶解。留下的非曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應不敏感、曝光容限大、***密度低和無毒性等優(yōu)點,適合于高集成度器件的生產(chǎn)。②負性光致抗蝕劑:受光照部分產(chǎn)生交鏈反應而成為不溶物,非曝光部分被顯影液溶解,獲得的圖形與掩模版圖形互補。負性抗蝕劑的附著力強、靈敏度高、顯影條件要求不嚴,適于低集成度的器件的生產(chǎn)。虎丘區(qū)供應光刻系統(tǒng)五星服務目的:除去溶劑(4~7%);增強黏附性;釋放光刻膠膜內(nèi)的應力;防止光刻膠玷污設備;

所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展,這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時,半導體基片上如果有絕緣的介質(zhì)膜,電子通過它時也會產(chǎn)生一定量的電荷積累,這些積累的電荷同樣會排斥后續(xù)曝光的電子,產(chǎn)生偏移,而不導電的絕緣體(如玻璃片)肯定不能采用電子束曝光。還有空間交變磁場、實驗室溫度變化等都會引起電子束曝光產(chǎn)生“漂移”現(xiàn)象。因此,即使擁有2nm電子束斑的曝 光 系統(tǒng),要曝光出50nm以下的圖形結(jié)構(gòu)也不容易。麻省理工學院(MIT)已經(jīng)采用的電子束光刻技術分辨率將推進到9nm。電子束直寫光刻可以不需要
決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數(shù):光刻膠的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻膠的厚度越薄;旋轉(zhuǎn)速度,速度越快,厚度越薄;影響光刻膠均勻性的參數(shù):旋轉(zhuǎn)加速度,加速越快越均勻;與旋轉(zhuǎn)加速的時間點有關。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和分辨率):I-line**厚,約0.7~3μm;KrF的厚度約0.4~0.9μm;ArF的厚度約0.2~0.5μm。軟烘方法:真空熱板,85~120C,30~60秒;目的:除去溶劑(4~7%);增強黏附性;釋放光刻膠膜內(nèi)的應力;防止光刻膠玷污設備;c、焦距控片(Focus MC):作為光刻機監(jiān)控焦距監(jiān)控;

01:50光刻機為什么難造?看看他的黑科技!提高光刻技術分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長,通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代,極紫外光刻技術就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實 驗,該技術 的光源是波 長 為11~14 nm的極端遠紫外光,其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收,所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。影響光刻膠均勻性的參數(shù):旋轉(zhuǎn)加速度,加速越快越均勻;與旋轉(zhuǎn)加速的時間點有關。虎丘區(qū)供應光刻系統(tǒng)五星服務
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。虎丘區(qū)供應光刻系統(tǒng)五星服務
后烘方法:熱板,110~130C,1分鐘。目的:a、減少駐波效應;b、激發(fā)化學增強光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法:a、整盒硅片浸沒式顯影(Batch Development)。缺點:顯影液消耗很大;顯影的均勻性差;b、連續(xù)噴霧顯影(Continuous Spray Development)/自動旋轉(zhuǎn)顯影(Auto-rotation Development)。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面,同時硅片低速旋轉(zhuǎn)(100~500rpm)。噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。虎丘區(qū)供應光刻系統(tǒng)五星服務
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