復(fù)合靶材技術(shù)是將兩種或多種材料復(fù)合在一起制成靶材,通過磁控濺射技術(shù)實(shí)現(xiàn)多種材料的共濺射。該技術(shù)可以制備出具有復(fù)雜成分和結(jié)構(gòu)的薄膜,滿足特殊應(yīng)用需求。在實(shí)際應(yīng)用中,科研人員和企業(yè)通過綜合運(yùn)用上述質(zhì)量控制策略,成功制備出了多種高質(zhì)量、高性能的薄膜材料。例如,在半導(dǎo)...
在建筑裝飾領(lǐng)域,磁控濺射技術(shù)被用于生產(chǎn)各種美觀耐用的裝飾膜。通過在玻璃幕墻、金屬門窗、欄桿等建筑部件上鍍制各種顏色和功能的薄膜,可以增加建筑的美觀性和功能性。例如,鍍制低輻射膜的玻璃幕墻可以提高建筑的節(jié)能效果;鍍制彩色膜的金屬門窗可以滿足不同的裝飾需求。這些裝...
磁控濺射設(shè)備的維護(hù)和保養(yǎng)是確保其長期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。通過定期清潔與檢查、檢查電氣元件與控制系統(tǒng)、維護(hù)真空系統(tǒng)、磁場(chǎng)與電源系統(tǒng)維護(hù)、濺射參數(shù)調(diào)整與優(yōu)化、更換易損件與靶材、冷卻系統(tǒng)檢查與維護(hù)、建立維護(hù)日志與記錄以及操作人員培訓(xùn)與安全教育等策略,可以明顯提高設(shè)備的穩(wěn)...
隨著科技的進(jìn)步和磁控濺射技術(shù)的不斷發(fā)展,一些先進(jìn)技術(shù)被引入到薄膜質(zhì)量控制中,以進(jìn)一步提高薄膜的質(zhì)量和性能。反應(yīng)性濺射技術(shù)是在濺射過程中通入反應(yīng)性氣體(如氧氣、氮?dú)獾龋篂R射出的靶材原子與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成化合物薄膜。通過精確控制反應(yīng)性氣體的種類、流量...
磁控濺射是采用磁場(chǎng)束縛靶面附近電子運(yùn)動(dòng)的濺射鍍膜方法。其工作原理是:電子在電場(chǎng)E的作用下,加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子繼續(xù)飛向基片,而Ar離子則在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射...
研究所將晶圓鍵合技術(shù)與微納加工工藝相結(jié)合,探索在先進(jìn)半導(dǎo)體器件中的創(chuàng)新應(yīng)用。在微納傳感器的制備研究中,團(tuán)隊(duì)通過晶圓鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)不同功能層的精確疊加,構(gòu)建復(fù)雜的三維器件結(jié)構(gòu)。利用微納加工平臺(tái)的精密光刻與刻蝕設(shè)備,可在鍵合后的晶圓上進(jìn)行精細(xì)圖案加工,確保器件結(jié)構(gòu)的...
5G射頻濾波器晶圓鍵合實(shí)現(xiàn)性能躍升。玻璃-硅陽極鍵合在真空氣腔中形成微機(jī)械諧振結(jié)構(gòu),Q值提升至8000@3.5GHz。離子注入層消除熱應(yīng)力影響,頻率溫度系數(shù)優(yōu)化至0.3ppm/℃。在波束賦形天線陣列中,插入損耗降至0.5dB,帶外抑制提升20dB。華為基站測(cè)試...
研究所利用人才團(tuán)隊(duì)的優(yōu)勢(shì),在晶圓鍵合技術(shù)的基礎(chǔ)理論研究上投入力量,探索鍵合界面的形成機(jī)制。通過分子動(dòng)力學(xué)模擬與實(shí)驗(yàn)觀察相結(jié)合的方式,分析原子間作用力在鍵合過程中的變化規(guī)律,建立界面結(jié)合強(qiáng)度與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)模型。這些基礎(chǔ)研究成果有助于更深入地理解鍵合過程,為...
濺射參數(shù)是影響薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。因此,應(yīng)根據(jù)不同的薄膜材料和制備需求,調(diào)整射頻電源的功率、自偏壓等濺射參數(shù),以控制濺射速率和鍍膜層的厚度。同時(shí),應(yīng)定期監(jiān)測(cè)濺射過程,及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決參數(shù)異常問題,確保濺射過程的穩(wěn)定性和高效性。磁控濺射設(shè)備在運(yùn)行過程中,部分部...
磁控濺射鍍膜技術(shù)適用于大面積鍍膜。平面磁控濺射靶和柱狀磁控濺射靶的長度都可以做到數(shù)百毫米甚至數(shù)千米,能夠滿足大面積鍍膜的需求。此外,磁控濺射鍍膜技術(shù)還允許在鍍膜過程中對(duì)工件進(jìn)行連續(xù)運(yùn)動(dòng),以確保薄膜的均勻性和一致性。這種大面積鍍膜能力使得磁控濺射鍍膜技術(shù)在制備大...
磁控濺射沉積的薄膜具有優(yōu)異的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性。首先,磁控濺射沉積的薄膜具有高密度、致密性好的特點(diǎn),因此具有較高的硬度和強(qiáng)度,能夠承受較大的機(jī)械應(yīng)力和磨損。其次,磁控濺射沉積的薄膜具有較高的附著力和耐腐蝕性能,能夠在惡劣的環(huán)境下長期穩(wěn)定地工作。此外,磁控濺射...
濺射功率和時(shí)間對(duì)薄膜的厚度和成分具有重要影響。通過調(diào)整濺射功率和時(shí)間,可以精確控制薄膜的厚度和成分,從而提高濺射效率和均勻性。在實(shí)際操作中,應(yīng)根據(jù)薄膜的特性和應(yīng)用需求,合理設(shè)置濺射功率和時(shí)間參數(shù)。例如,對(duì)于需要較厚且均勻的薄膜,可適當(dāng)增加濺射功率和時(shí)間;而對(duì)于...
磁控濺射制備薄膜應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?在航空航天領(lǐng)域,磁控濺射技術(shù)被普遍應(yīng)用于制備耐磨、耐腐蝕、抗刮傷等功能薄膜,提高航空航天器件的性能和使用壽命。例如,在航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、渦輪盤等關(guān)鍵零部件上,通過磁控濺射技術(shù)可以鍍制高溫抗氧化膜、熱障涂層等,提高零部件的耐高溫性能...
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所依托其微納加工平臺(tái)的先進(jìn)設(shè)備,在電子束曝光技術(shù)研發(fā)中持續(xù)發(fā)力。該平臺(tái)配備的高精度電子束曝光系統(tǒng),具備納米級(jí)分辨率,可滿足第三代半導(dǎo)體材料微納結(jié)構(gòu)制備的需求。科研團(tuán)隊(duì)針對(duì)氮化物半導(dǎo)體材料的特性,研究電子束能量與曝光劑量對(duì)圖形轉(zhuǎn)移精度的影響...
射頻電源的使用可以沖抵靶上積累的電荷,防止靶中毒現(xiàn)象的發(fā)生。雖然射頻設(shè)備的成本較高,但其應(yīng)用范圍更廣,可以濺射包括絕緣體在內(nèi)的多種靶材。反應(yīng)磁控濺射是在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中,靶材與氣體粒子反應(yīng)生成化合物薄膜。這種方法可以制備高純度的化合物薄膜,...
靶材是磁控濺射制備薄膜的源頭,其質(zhì)量和純度對(duì)薄膜質(zhì)量具有決定性影響。因此,在磁控濺射制備薄膜之前,應(yīng)精心挑選靶材,確保其成分、純度和結(jié)構(gòu)滿足薄膜制備的要求。同時(shí),靶材的表面處理也至關(guān)重要,通過拋光、清洗等步驟,可以去除靶材表面的雜質(zhì)和缺陷,提高濺射效率和薄膜質(zhì)...
科研團(tuán)隊(duì)探索電子束曝光與化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的協(xié)同應(yīng)用,用于制備全局平坦化的多層結(jié)構(gòu)。多層器件在制備過程中易出現(xiàn)表面起伏,影響后續(xù)曝光精度,團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光定義拋光阻擋層圖形,結(jié)合化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)現(xiàn)局部區(qū)域的精細(xì)平坦化。對(duì)比傳統(tǒng)拋光方法,該技術(shù)能使多層結(jié)構(gòu)的表面粗...
圍繞晶圓鍵合技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化建設(shè),該研究所聯(lián)合行業(yè)內(nèi)行家開展相關(guān)研究。作為中國有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)倚靠單位,其團(tuán)隊(duì)參與了多項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研討,針對(duì)晶圓鍵合的術(shù)語定義、測(cè)試方法等提出建議。在自身研究實(shí)踐中,團(tuán)隊(duì)總結(jié)了不同材料組合、不同尺寸晶圓的鍵合工藝參...
磁控濺射制備的薄膜普遍應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車零部件、珠寶首飾等多個(gè)領(lǐng)域。例如,在手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的外殼、按鍵、屏幕等部件上采用磁控濺射技術(shù)進(jìn)行鍍膜處理,可以提高其耐磨性、抗劃傷性和外觀質(zhì)感。在汽車行業(yè)中,通過磁控濺射技術(shù)可以制備出硬度極高的薄膜,如類...
磁控濺射制備的薄膜普遍應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車零部件、珠寶首飾等多個(gè)領(lǐng)域。例如,在手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的外殼、按鍵、屏幕等部件上采用磁控濺射技術(shù)進(jìn)行鍍膜處理,可以提高其耐磨性、抗劃傷性和外觀質(zhì)感。在汽車行業(yè)中,通過磁控濺射技術(shù)可以制備出硬度極高的薄膜,如類...
該研究所將晶圓鍵合技術(shù)與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的制備相結(jié)合,探索其在微型傳感器與執(zhí)行器中的應(yīng)用。在 MEMS 器件的多層結(jié)構(gòu)制備中,鍵合技術(shù)可實(shí)現(xiàn)不同功能層的精確組裝,提高器件的集成度與性能穩(wěn)定性。科研團(tuán)隊(duì)利用微納加工平臺(tái)的優(yōu)勢(shì),在鍵合后的晶圓上進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)...
硅光芯片制造中晶圓鍵合推動(dòng)光電子融合改變。通過低溫分子鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族激光器與硅波導(dǎo)的異質(zhì)集成,在量子阱能帶精確匹配機(jī)制下,光耦合效率提升至95%。熱應(yīng)力緩沖層設(shè)計(jì)使波長漂移小于0.03nm,支撐800G光模塊在85℃高溫環(huán)境穩(wěn)定工作。創(chuàng)新封裝結(jié)構(gòu)使發(fā)...
靶材是磁控濺射制備薄膜的源頭,其質(zhì)量和純度對(duì)薄膜質(zhì)量具有決定性影響。因此,在磁控濺射制備薄膜之前,應(yīng)精心挑選靶材,確保其成分、純度和結(jié)構(gòu)滿足薄膜制備的要求。同時(shí),靶材的表面處理也至關(guān)重要,通過拋光、清洗等步驟,可以去除靶材表面的雜質(zhì)和缺陷,提高濺射效率和薄膜質(zhì)...
氣氛環(huán)境是影響薄膜質(zhì)量的重要因素之一。在磁控濺射過程中,應(yīng)嚴(yán)格控制鍍膜室內(nèi)的氧氣、水分、雜質(zhì)等含量,以減少薄膜中的雜質(zhì)和缺陷。同時(shí),通過優(yōu)化濺射氣體的種類和流量,可以調(diào)控薄膜的成分和結(jié)構(gòu),提高薄膜的性能。基底是薄膜生長的載體,其質(zhì)量和表面狀態(tài)對(duì)薄膜質(zhì)量具有重要...
電子束曝光技術(shù)通過高能電子束直接轟擊電敏抗蝕劑,基于電子與材料相互作用的非光學(xué)原理引發(fā)分子鏈斷裂或交聯(lián)反應(yīng)。在真空環(huán)境中利用電磁透鏡聚焦束斑至納米級(jí),配合精密掃描控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)亞5納米精度圖案直寫。突破傳統(tǒng)光學(xué)的衍射極限限制,該過程涉及加速電壓優(yōu)化(如100kV...
磁控濺射制備薄膜應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?在航空航天領(lǐng)域,磁控濺射技術(shù)被普遍應(yīng)用于制備耐磨、耐腐蝕、抗刮傷等功能薄膜,提高航空航天器件的性能和使用壽命。例如,在航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、渦輪盤等關(guān)鍵零部件上,通過磁控濺射技術(shù)可以鍍制高溫抗氧化膜、熱障涂層等,提高零部件的耐高溫性能...
靶材是磁控濺射制備薄膜的源頭,其質(zhì)量和純度對(duì)薄膜質(zhì)量具有決定性影響。因此,在磁控濺射制備薄膜之前,應(yīng)精心挑選靶材,確保其成分、純度和結(jié)構(gòu)滿足薄膜制備的要求。同時(shí),靶材的表面處理也至關(guān)重要,通過拋光、清洗等步驟,可以去除靶材表面的雜質(zhì)和缺陷,提高濺射效率和薄膜質(zhì)...
研究所將電子束曝光技術(shù)應(yīng)用于 IGZO 薄膜晶體管的溝道圖形制備中,探索其在新型顯示器件領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。IGZO 材料對(duì)曝光過程中的電子束損傷較為敏感,科研團(tuán)隊(duì)通過控制曝光劑量與掃描方式,減少電子束與材料的相互作用對(duì)薄膜性能的影響。利用器件測(cè)試平臺(tái),對(duì)比不同曝...
電子束曝光中的新型抗蝕劑如金屬氧化物(氧化鉿)正面臨性能挑戰(zhàn)。其高刻蝕選擇比(硅:100:1)但靈敏度為10mC/cm2。研究通過鈰摻雜和預(yù)曝光烘烤(180°C/2min)提升氧化鉿膠靈敏度至1mC/cm2,圖形陡直度達(dá)89°±1。在5納米節(jié)點(diǎn)FinFET柵極...
研究所利用其覆蓋半導(dǎo)體全鏈條的科研平臺(tái),研究電子束曝光技術(shù)在半導(dǎo)體材料表征中的應(yīng)用。通過在材料表面制備特定形狀的測(cè)試圖形,結(jié)合原子力顯微鏡與霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng),分析材料的微觀力學(xué)性能與電學(xué)參數(shù)分布。在氮化物外延層的表征中,團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光制備的微納測(cè)試結(jié)構(gòu),實(shí)...