校準也是重要的維護內容，定期對設備的各項參數進行校準，如溫度傳感器、壓力傳感器、激光能量計等，確保測量的準確性。對于一些易損耗的部件，如真空泵油、石英天平的傳感器等，要按照規定的時間或使用次數進行更換。維護的頻率可根據設備的使用情況而定，一般建議每周進行一次外觀清潔和簡單檢查，每月進行一次整體的清潔和關鍵部件的檢查，每季度進行一次深度維護和校準，以保證設備始終處于比較好的運行狀態，為科研工作提供可靠的支持。脈沖激光透過石英窗產生高能等離子體羽輝。全自動外延系統端口

當出現故障時，可按照一定的方法和步驟進行排查。首先進行硬件連接檢查，查看真空管道、電源線、信號線等連接是否牢固，有無松動、破損或短路現象。例如，對于真空度異常故障，重點檢查真空管道各連接處的密封情況，可使用真空檢漏儀進行檢測，確定是否存在泄漏點。接著檢查軟件設置，確認溫度、壓力、沉積速率等參數的設置是否正確。比如溫度控制不穩定時，查看溫度控制系統的參數設置，包括目標溫度、溫度調節范圍、調節周期等，是否與實驗要求相符。對于復雜故障，可采用替換法進行排查。當懷疑某個部件出現故障時，如懷疑溫度傳感器故障，可更換一個新的傳感器，觀察故障是否消失，以確定故障部件。全自動外延系統端口掃描型差分 RHEED 實時監控，助力科研人員及時調整工藝參數。

在硅基光電子集成領域，硅鍺（SiGe）異質結是一個關鍵材料體系。通過分子束外延（MBE）技術，可以在硅襯底上外延生長出晶格質量優異的SiGe合金層。由于鍺和硅的晶格常數存在差異，在生長過程中會引入應力，而這種應力可以被巧妙地利用來改變材料的能帶結構，提升載流子遷移率，從而制造出性能更優異的高速晶體管、光電探測器和調制器。我們的MBE系統能夠精確控制鍺的組分，生長出梯度變化的SiGe緩沖層，以有效弛豫應力，獲得低位錯密度的高質量外延材料。

在制備多元化金屬/氧化物異質結時，系統的六靶位自動切換功能展現出巨大優勢。例如，在研究磁阻或鐵電隧道結時，研究人員可以預先裝載金屬靶（如鈷、鐵）、氧化物靶（如MgO、BaTiO3）等。在一次真空循環中，系統可依次沉積底電極金屬、功能氧化物層和頂電極金屬，形成一個完整的器件結構。整個過程在超高真空下完成，確保了各層界面原子級別的潔凈度，避免了大氣污染導致的界面氧化或退化，這對于研究界面的本征物理性質（如自旋注入、電子隧穿效應）至關重要。電動機械手支持1-4軸運動，精確定位基板位置。

設備的自動化控制功能為科研工作帶來了極大的便利和高效性。以自動生長程序編寫為例，科研人員可通過PLC單元和軟件，根據實驗需求精確設定各項參數，如分子束的流量、基板的加熱溫度、沉積時間等，將這些參數按照特定的順序和邏輯編寫成自動生長程序。在運行程序時，設備能嚴格按照預設步驟自動執行，無需人工實時干預，較大節省了人力和時間成本。

石英晶體微天平（QCM）也是重要的原位監測工具，它基于石英晶體的壓電效應，通過測量晶體振蕩頻率的變化來實時監測薄膜的沉積速率和厚度。在薄膜沉積過程中，隨著薄膜厚度的增加，石英晶體的振蕩頻率會發生相應變化，通過預先建立的頻率與厚度的關系模型，就可以精確地監測薄膜的生長情況。 制備熱力學準穩定態人工合成新材料，PLD 方法優勢明顯。全自動外延系統端口

分子束外延系統可實現原子級精度薄膜控制。全自動外延系統端口

清潔后的樣品要進行固定，確保其在設備內的傳輸和沉積過程中位置穩定。根據樣品的尺寸和形狀，選擇合適的樣品架和固定裝置，如夾具、膠帶等。對于圓形樣品，可使用專門的圓形樣品架，通過夾具將樣品固定在架上，保證樣品中心與樣品架中心重合；對于方形樣品，可采用膠帶將其固定在樣品架上，注意膠帶要粘貼牢固且不能遮擋樣品表面。

日常維護對于保持設備的性能和延長使用壽命至關重要。定期清潔設備是必不可少的維護工作，使用干凈的無塵布和適當的清潔劑，擦拭設備的外表面、真空腔室內部以及各部件的表面，去除灰塵、油污和沉積物。特別要注意清潔靶材支架、樣品臺等關鍵部位，防止雜質積累影響實驗結果。 全自動外延系統端口

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