6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。7、DFP（dual flat package）雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。梁溪區好的集成電路工廠直銷

因而得此稱呼。引腳數從14到90。也有稱為SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH－DIP（shrink dual in-line package）同SDIP。部分半導體廠家采用的名稱。54、SIL（single in-line）SIP的別稱（見SIP）。歐洲半導體廠家多采用SIL這個名稱。55、SIMM（single in-line memory module）單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經在個人計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40%的DRAM都裝配在SIMM里。新吳區標準集成電路產品介紹集成電路的產生，任何發明創造背后都是有驅動力的，而驅動力往往來源于問題。

5、要保證焊接質量焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應用內熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看，比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認無焊錫粘連現象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。江蘇常見集成電路銷售廠家

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。梁溪區好的集成電路工廠直銷

當沒有特別表示出材料時，多數情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規格。0.65mm中心距規格中**多引腳數為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業會對QFP的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。梁溪區好的集成電路工廠直銷

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