7、測試儀表內阻要大測量集成電路引腳直流電壓時,應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表,否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應散熱良好,不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內部已損壞部分,應選用小型元器件,且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合,尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如:肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標準T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA(ball grid array)用集成電路來裝配電子設備,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設備的穩定工作時間也可提高。梁溪區常見集成電路產品介紹

美國Olin公司開發的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。日本新光電氣工業公司于1993年獲得特許開始生產。31、MSP(mini square package)QFI的別稱(見QFI),在開發初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業會規定的名稱。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)無錫名優集成電路市價小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。

11、DSO(dual small out-lint)雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。12、DICP(dual tape carrier package)集成電路雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI,但多數為定制品。另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定,將DICP命名為DTP。
MCM-D是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的,但成本也高。28、MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見SOP和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。29、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm~2.0mm的標準QFP(見QFP)。30、MQUAD(metal quad)集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路。

42、QFJ(quad flat J-leaded package)四側J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出,向下呈J字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數情況稱為PLCC(見PLCC),用于微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機芯片電路。引腳數從32至84。43、QFN(quad flat non-leaded package)集成電路四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。90年代后期多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點,由于無引腳,貼裝占有面積比QFP小,高度比QFP低。無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。梁溪區本地集成電路工廠直銷
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。梁溪區常見集成電路產品介紹
26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產。27、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。 MCM-C是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。梁溪區常見集成電路產品介紹
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