硅光芯片耦合測試系統主要工作可以分為四個部分:1、利用開發出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯MZI型硅光芯片調制器的調制特性,針對調制過程,建立數學模型,從數學的角度出發,總結出調制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調制器眼圖分析調制器中存在的問題,為后續研發提供改進方向。2、針對倒錐型耦合結構,分析在耦合過程中,耦合結構的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優化耦合結構并開發出行之有效的耦合工藝。3、從波導理論出發,分析了條形波導以及脊型波導的波導模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理論分析了硅光芯片調制器的載流子色散效應,分析了調制器的基本結構MZI干涉結構,并從光學結構和電學結構兩方面對光調制器進行理論分析與介紹。硅光芯片耦合測試系統的優點:易操作。四川光子晶體硅光芯片耦合測試系統公司

測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統客戶端程序,其程序流程如下:首先向自動耦合臺發送耦合請求信息,并且信息包括待耦合芯片的通道號,然后根據自動耦合臺返回的相應反饋信息進入自動耦合等待掛起,直到收到自動耦合臺的耦合結束信息后向服務器發送測試請求信息,以進行光芯片自動指標測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分,其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調架,精度可達50nm,滿足光芯片耦合精度要求。特別的,為監控調光耦合功率,完成自動化耦合過程,測試站應連接一個PD光電二極管,以實時獲取當前光功率。云南射頻硅光芯片耦合測試系統價格硅光芯片耦合測試系統的優勢:可視化杜瓦,可實現室溫~4.2K變溫環境下光學測試根據測試。

硅光芯片耦合測試系統測試時說到功率飄忽不定,耦合直通率低一直是影響產能的重要的因素,功率飄通常與耦合板的位置有關,因此在耦合時一定要固定好相應的位置,不可隨便移動,此外部分機型需要使用專屬版本,又或者說耦合RF線材損壞也會對功率的穩定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測儀和機頭本身了。結尾說一說耦合不過站的故障,為防止耦合漏作業的現象,在耦合的過程中會通過網線自動上傳耦合數據進行過站,若MES系統的外觀工位攔截到耦合不過站的機頭,則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞,需要卸載后重新安裝,排除耦合4.0的故障和電腦系統本身的故障之后,則可能是MES系統本身的問題導致耦合數據無法上傳而導致不過站的現象的。
基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處:片內具有快速RAM,通常可通過單獨的數據總線在兩塊中同時訪問。

針對不同的硅光芯片結構,我們提出并且實驗驗證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實驗中,我們得到了超過60%的光纖-波導耦合效率。此外,我們還開發了一款用以實現硅條形波導和狹縫波導之間高效耦合的新型耦合器應用的系統主要是硅光芯片耦合測試系統,理論設計和實驗結果都證明該耦合器可以實現兩種波導之間的無損光耦合。為了消除硅基無源器件明顯的偏振相關性,我們首先利用一種特殊的三明治結構波導,通過優化多層結構,成功消除了一個超小型微環諧振器中心波長的偏振相關性。硅光芯片耦合測試系統優點:易于大規模測試。江蘇自動硅光芯片耦合測試系統哪里有
圖像處理軟件能自動測量出各項偏差,然后軟件驅動運動控制系統和運動平臺來補償偏差,以及給出提示。四川光子晶體硅光芯片耦合測試系統公司
經過多年發展,硅光芯片耦合測試系統如今已經成為受到普遍關注的熱點研究領域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學被認為是實現高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學也有其固有的缺點,比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導耦合效率以及硅基波導明顯的偏振相關性等都制約著硅光子學的進一步發展。針對這些問題,試圖通過新的嘗試給出一些全新的解決方案。首先我們回顧了一些光波導的數值算法,并在此基礎上開發了一個基于柱坐標系的有限差分模式分析器,它非常適合于分析彎曲波導的本征模場。對于復雜光子器件結構的分析,我們主要利用時域有限差分以及波束傳播法等數值工具。接著我們回顧了硅基光子器件各項主要的制造工藝和測試技術。重點介紹了幾種基于超凈室設備的關鍵工藝,如等離子增強化學氣相沉積,電子束光刻以及等離子體干法刻蝕。為了同時獲得較高的耦合效率以及較大的對準容差,本論文主要利用垂直耦合系統作為光子器件的主要測試方法。四川光子晶體硅光芯片耦合測試系統公司