磁控濺射技術比蒸發(fā)技術的粒子能量更高，膜基結合力更好，“磁控濺射離子鍍膜技術”就是在普通磁控濺射技術的基礎上，在被鍍工件表面加偏壓，金屬離子在偏壓電場的作用力下，沉積在工件表面，膜層質量和膜基結合力又遠遠好于普通的磁控濺射鍍膜技術。根據靶材的形狀，磁控濺射靶可分為圓形磁控濺射靶、平面磁控濺射靶和柱狀磁控濺射靶。圓形靶主要用于科研和少量的工業(yè)應用，平面靶和柱狀靶在工業(yè)上大量使用，特別是柱狀靶，憑借超高的靶材利用率和穩(wěn)定的工作狀態(tài)，越來越多的被使用。真空鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化。河南PECVD真空鍍膜

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：在等離子化學氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,產生大量反應活性物種而使整個反應體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時,由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現(xiàn),致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學氣相沉積法,在硬質臺金上沉積TiN膜結構與性能均勻。河南PECVD真空鍍膜真空濺射鍍是真空鍍膜技術的一種。

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。

真空鍍膜：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術初現(xiàn)于20世紀30年代，四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料），屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。真空鍍膜中離子鍍的鍍層組織致密、無小孔、無氣泡、厚度均勻。

電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝，實現(xiàn)同時或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā)，不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達到的蒸發(fā)速率。在高真空下，電子燈絲加熱后發(fā)射熱電子，被加速陽極加速，獲得很大的動能轟擊到的蒸發(fā)材料上，把動能轉化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發(fā)。通過調節(jié)電子束的功率，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率，特別是有利于高熔點以及高純金屬和化合物材料。真空鍍膜機電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成，是包含一個或幾個孔的閥體。江蘇反射濺射真空鍍膜

化學氣相沉積是真空鍍膜技術的一種。河南PECVD真空鍍膜

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業(yè)領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。河南PECVD真空鍍膜

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