真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。潮州鈦金真空鍍膜

真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，涂底漆等。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打開擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵。待預熱足夠后，打開高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,預熔：調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。蒸發沉積：根據要求調整蒸發電流，直到所需沉積時間結束。冷卻：鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。出爐：取件后，關閉真空室，抽真空至1×10-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關閉維持泵和冷卻水。后處理：涂面漆等。浙江MEMS真空鍍膜真空鍍膜有蒸發鍍膜形式。

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜、熱阻蒸發等。另一種是化學法氣相沉積（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）。真空鍍膜設備膜層厚度過厚會帶一點黑色，但是是金屬本色黑色。

真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導入反應性氣體，如氮氣、氧氣、乙炔、甲烷等反應性氣體代替氬氣，或在此基礎上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達到幾千至幾萬電子伏特的能量，不僅可以使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特點是沉積率高，工藝溫度低。真空鍍膜技術被譽為較具發展前途的重要技術之一，并已在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景。北京真空鍍膜廠家

真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。潮州鈦金真空鍍膜

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。潮州鈦金真空鍍膜