針對晶圓鍵合過程中的表面預處理環節，科研團隊進行了系統研究，分析不同清潔方法對鍵合效果的影響。通過對比等離子體清洗、化學腐蝕等方式，觀察晶圓表面的粗糙度與污染物殘留情況，發現適當的表面活化處理能明顯提升鍵合界面的結合強度。在實驗中，利用原子力顯微鏡可精確測量處理后的表面形貌，為優化預處理參數提供量化依據。研究還發現，表面預處理的均勻性對大面積晶圓鍵合尤為重要，團隊據此改進了預處理設備的參數分布，使 6 英寸晶圓表面的活化程度更趨一致。這些細節上的優化，為提升晶圓鍵合的整體質量奠定了基礎。晶圓鍵合推動人工視覺芯片的光電轉換層高效融合。江蘇陽極晶圓鍵合加工工廠

科研團隊在晶圓鍵合技術的低溫化研究方面取得一定進展。考慮到部分半導體材料對高溫的敏感性，團隊探索在較低溫度下實現有效鍵合的工藝路徑，通過優化表面等離子體處理參數，增強晶圓表面的活性，減少鍵合所需的溫度條件。在實驗中，利用材料外延平臺的真空環境設備，可有效控制鍵合過程中的氣體殘留，提升界面的結合效果。目前，低溫鍵合工藝在特定材料組合的晶圓上已展現出應用潛力，鍵合強度雖略低于高溫鍵合，但能更好地保護材料的固有特性。該研究為熱敏性半導體材料的鍵合提供了新的思路，相關成果已在行業交流中得到關注。重慶低溫晶圓鍵合實驗室晶圓鍵合為虛擬現實系統提供高靈敏觸覺傳感器集成方案。

科研團隊在晶圓鍵合的對準技術上進行改進，針對大尺寸晶圓鍵合中對準精度不足的問題，開發了一套基于圖像識別的對準系統。該系統能實時捕捉晶圓邊緣的標記點，通過算法調整晶圓的相對位置，使對準誤差控制在較小范圍內。在 6 英寸晶圓的鍵合實驗中，該系統的對準精度較傳統方法有明顯提升，鍵合后的界面錯位現象明顯減少。這項技術改進不僅提升了晶圓鍵合的工藝水平，也為其他需要高精度對準的半導體工藝提供了參考，體現了研究所的技術創新能力。

研究所將晶圓鍵合技術與微納加工工藝相結合，探索在先進半導體器件中的創新應用。在微納傳感器的制備研究中，團隊通過晶圓鍵合技術實現不同功能層的精確疊加，構建復雜的三維器件結構。利用微納加工平臺的精密光刻與刻蝕設備，可在鍵合后的晶圓上進行精細圖案加工，確保器件結構的精度要求。實驗數據顯示，鍵合工藝的引入能簡化多層結構的制備流程，同時提升層間連接的可靠性。這些研究不僅豐富了微納器件的制備手段，也為晶圓鍵合技術開辟了新的應用方向，相關成果已在學術交流中進行分享。晶圓鍵合構建具備電生理反饋功能的人類心臟仿生芯片系統。

量子點顯示晶圓鍵合突破色域極限。InGaN-鈣鈦礦量子點鍵合實現108%NTSC覆蓋，色彩還原準確度ΔE<0.3。三星MicroLED電視實測峰值亮度5000nit，功耗降低40%。光學微腔結構使光效達200lm/W，壽命延長至10萬小時。曲面轉移技術實現8K分辨率無接縫拼接，為元宇宙虛擬世界提供沉浸體驗。人工光合晶圓鍵合助力碳中和。二氧化鈦-石墨烯催化界面鍵合加速水分解，太陽能轉化率突破12%。300平方米示范裝置日均產出氫氣80kg，純度達99.999%。微流控反應器實現CO?至甲醇定向轉化，碳捕集成本降至$50/噸。模塊化設計支持沙漠電站建設，日產甲醇可供新能源汽車行駛千公里。晶圓鍵合助力拓撲量子材料異質結構建與性能優化。河南陽極晶圓鍵合加工工廠

晶圓鍵合提升微型燃料電池的界面質子傳導效率。江蘇陽極晶圓鍵合加工工廠

研究所將晶圓鍵合技術與集成電路設計領域的需求相結合，探索其在先進封裝中的應用可能。在與相關團隊的合作中，科研人員分析鍵合工藝對芯片互連性能的影響，對比不同鍵合材料在導電性、導熱性方面的表現。利用微納加工平臺的精密布線技術，可在鍵合后的晶圓上實現更精細的電路連接，為提升集成電路的集成度提供支持。目前，在小尺寸芯片的堆疊鍵合實驗中，已實現較高的對準精度，信號傳輸效率較傳統封裝方式有一定改善。這些研究為鍵合技術在集成電路領域的應用拓展了思路，也體現了研究所跨領域技術整合的能力。江蘇陽極晶圓鍵合加工工廠