泛曝光是在不使用掩膜的曝光過程，會對未暴露的光刻膠區域進行曝光，從而可以在后續的顯影過程被溶解顯影。為了使光刻膠輪廓延伸到襯底，(襯底附近)光刻膠區域也應獲得足夠的曝光劑量。泛曝光的劑量過大并不會影響后續的工藝過程，因為曝光區域的光刻膠在反轉烘烤過程中已經不再感光。因此，我們建議泛曝光的劑量至少是在正膠工藝模式下曝光相同厚度的光刻膠膠膜所需要劑量的兩到三倍。特別是在厚膠的情況下(>3um膠厚)，在泛曝光時下面這些情況也要考慮同樣的事情，這也與后正膠的曝光相關:由于光刻膠在反轉烘烤步驟后是不含水分，而DNQ基光刻膠的曝光過程是需要水的，因此在泛曝光前光刻膠也需時間進行再吸水過程。由于泛曝光的曝光劑量較大，曝光過程中氮的釋放可能導致氣泡或裂紋的形成。雙面鍍膜光刻是針對硅及其它半導體基片發展起來的加工技術。甘肅氮化鎵材料刻蝕

光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。江蘇材料刻蝕工藝光刻工藝中常見的對準技術——場像對準技術。

掩膜對準光刻及步進投影式光刻機中常用汞燈作為曝光光源，其發射光譜包括g-(波長435nm)、h-(波長405nm)和i-線(波長365nm)。一個配有350wHg燈的6英寸掩模對準器通常能獲得大約光輸出。15–30mw/cm2，i-線強度通常大約占全部三條線總光強的40%。LED作為近年來比較常見的UV光源在掩膜對準式光刻系統中比較常見，其相比于汞燈光源其優點是冷光源，不會對光刻膠產生輻照加熱，避免光刻膠受熱變形。除了Hg燈，具有合適波長的激光器也是光刻膠曝光的合適光源。由于光引發劑的光譜吸收帶不會在某一特定波長突然終止，相應的適應劑量也會暴露在比數據表中所示范圍高約10nm的波長處，但這延長了需要直寫的時間。另外，在干涉光刻中也常常用的例如He-Cd（328nm）作為光源，其同樣能對大部分i-線膠進行曝光。

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將被刻蝕固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，是因為所使用的腐蝕液可以非常精確地腐蝕特定薄膜。對于大多數刻蝕方案，選擇性大于100:1。濕法腐蝕必須滿足以下要求：1.不得腐蝕掩模層；2.選擇性必須高；3.蝕刻過程必須能夠通過用水稀釋來停止；4.反應產物是氣態的少；5.整個過程中的蝕刻速率始終保持恒定；6.反應產物一般是可溶，以避免顆粒；7.環境安全和廢液易于處置。光刻膠的粘度是一個非常重要的參數，它對指導光刻膠的涂膠至為重要。黏度（viscosity）用于衡量光刻膠液體的可流動性。納米級光刻已成為芯片制造的標準要求。

隨著半導體工藝的不斷進步，光刻機的光源類型也在不斷發展。從傳統的汞燈到現代的激光器、等離子體光源和極紫外光源，每種光源都有其獨特的優點和適用場景。汞燈作為傳統的光刻機光源，具有成本低、易于獲取和使用等優點。然而，其光譜范圍較窄，無法滿足一些特定的制程要求。相比之下，激光器具有高亮度、可調諧等特點，能夠滿足更高要求的光刻制程。此外，等離子體光源則擁有寬波長范圍、較高功率等特性，可以提供更大的光刻能量。極紫外光源（EUV）作為新一代光刻技術，具有高分辨率、低能量消耗和低污染等優點。然而，EUV光源的制造和維護成本較高，且對工藝環境要求苛刻。因此，在選擇光源類型時，需要根據具體的工藝需求和成本預算進行權衡！光刻過程中需要嚴格控制環境塵埃。江蘇材料刻蝕工藝

濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的。甘肅氮化鎵材料刻蝕

厚膠光學光刻具有工藝相對簡單、與現有IC工藝流程兼容性好、制作成本低等優點，是用來制作大深度微光學、微機械、微流道結構元件的一種很重要的方法和手段，具有廣闊的應用前景，因而是微納加工技術研究中十分活躍的領域。厚膠光刻是一個多參量的動態變化過程，多種非線性畸變因素的存在，使得對其理論和實驗的研究，與薄膠相比要復雜得多。厚層光刻膠顯影后抗蝕劑浮雕輪廓不僅可以傳遞圖形，而且可以直接作為工作部件、微機械器件封裝材料等。例如SU—8光刻膠具有良好的力學特性，可直接作為微齒輪、微活塞等部件的工作材料。隨著厚膠光學光刻技術的成熟和完善，該技術不僅可以制作大深度、大深寬比臺階型微結構元件，而且可以制作大深度連續面形微結構元件。甘肅氮化鎵材料刻蝕