半導體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。導體電鍍設備主要分為前道銅互連電鍍設備和后道先進封裝電鍍設備。前道銅互連電鍍設備針對55nn、40nm、28nm及20－14nm以下技術(shù)節(jié)點的前道銅互連鍍銅技術(shù)UltraECPmap，主要作用在晶圓上沉淀一層致密、無孔洞、無縫隙和其他缺陷、分布均勻的銅；后道先進封裝電鍍設備針對先進封裝電鍍需求進行差異化開發(fā)，適用于大電流高速電鍍應用，并采用模塊化設計便于維護和控制，減少設備維護保養(yǎng)時間，提高設備使用率。廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富，幾乎涉及了各種現(xiàn)代加工技術(shù)。廣東壓電半導體器件加工平臺

濕化學蝕刻普遍應用于制造半導體。在制造中，成膜和化學蝕刻的過程交替重復以產(chǎn)生非常小的鋁層。根據(jù)蝕刻層橫截面的幾何形狀，由于應力局部作用在蝕刻層上構(gòu)造的層上，經(jīng)常出現(xiàn)裂紋。因此，通過蝕刻產(chǎn)生具有所需橫截面幾何形狀的鋁層是重要的驅(qū)動環(huán)節(jié)之一。在濕化學蝕刻中，蝕刻劑通常被噴射到旋轉(zhuǎn)的晶片上，并且鋁層由于與蝕刻劑的化學反應而被蝕刻。我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的影響，并對蝕刻過程進行了數(shù)值模擬。驗證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結(jié)果一致，表明本數(shù)值模擬可以有效地預測蝕刻截面的幾何形狀。河南壓電半導體器件加工流程摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會被熱處理修復，這稱為退火，溫度一般在1000℃左右。

在MEMS制程中，刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，在光刻的基礎上有選擇地進行圖形的轉(zhuǎn)移。刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；以FATRIUTC為例，在MEMS制造中的ICP刻蝕機主要用來刻蝕Si、Si3N4、SiO2等。濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應進行刻蝕；以FATRIUTC的MEMS制程為例，在濕法槽進行濕法刻蝕的對象有SiO2、Si3N4、金屬、光刻膠等，晶圓作業(yè)中的清洗步驟也需在濕法槽中進行。

與采用其他半導體技術(shù)工藝的晶體管相比，氮化鎵晶體管的一個主要優(yōu)勢是其工作電壓和電流是其他晶體管的數(shù)倍。但是，這些優(yōu)勢也帶來了特殊的可靠性挑戰(zhàn)。其中挑戰(zhàn)之一就是因為柵極和電子溝道之間通常使用的氮化鋁鎵。氮化鋁和氮化鎵的晶格常數(shù)不同。當?shù)X在氮化鎵上生長時，其晶格常數(shù)被迫與氮化鎵相同，從而形成應變。氮化鋁鎵勢壘層的鋁含量越高，晶格常數(shù)之間的不匹配越高，因此應變也越高。然后，氮化鎵的壓電通過反壓電效應，在系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生更大應變。如果氮化鎵的壓電屬性產(chǎn)生電場，則反壓電效應意味著一個電場總會產(chǎn)生機械應變。這種壓電應變增加了氮化鋁鎵勢壘層的晶格不匹配應變。表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)。

半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的中心單元都和半導體有著極為密切的關聯(lián)。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中較具有影響力的一種。半導體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。天津功率器件半導體器件加工設計

在MEMS制程中，刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法。廣東壓電半導體器件加工平臺

刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。廣東壓電半導體器件加工平臺