驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡(jiǎn)單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過(guò)寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過(guò)窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。上海本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過(guò)粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開(kāi)通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果，IGBT開(kāi)通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開(kāi)通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。嘉定區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)物理意義：指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如，汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。

-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí)，必須考慮下列細(xì)節(jié)：· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值。· 驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流。· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。

(3)沖擊電流問(wèn)題。由于可控硅前沿?cái)夭ㄊ沟幂斎腚妷嚎赡芤恢碧幱诜逯蹈浇斎霝V波電容將承受大的沖擊電流，同時(shí)還可能使得可控硅意外截止，導(dǎo)致可控硅不斷重啟，所以一般需要在驅(qū)動(dòng)器輸入端串接電阻來(lái)減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時(shí)LED會(huì)出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時(shí)，由于此時(shí)輸入電壓和電流均較小，導(dǎo)致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠，電路停止工作，使LED產(chǎn)生閃爍。可控電源線性調(diào)光存在的問(wèn)題，即人眼在低亮度情況下對(duì)光線的細(xì)微變化很敏感;而在較亮?xí)r，由于人眼視覺(jué)的飽和，光線較大的變化卻不易被察覺(jué)。并提出了利用單片機(jī)編程來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光信號(hào)和調(diào)光輸出的非線性關(guān)系(如指數(shù)、平方等關(guān)系)的方法，使得人眼感覺(jué)的調(diào)光是一個(gè)線性平穩(wěn)過(guò)程。半橋驅(qū)動(dòng)和全橋驅(qū)動(dòng)：這兩種驅(qū)動(dòng)方式多用于需要更高功率轉(zhuǎn)換效率的場(chǎng)合，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等。

另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒(méi)有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒(méi)有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí)，MOS管會(huì)關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)電路正是通過(guò)調(diào)整柵極電壓來(lái)控制MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷狀態(tài)。上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。上海本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

3.關(guān)斷瞬時(shí)：足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子，減小 ；反偏截止電壓，使ic迅速下降，減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定，功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單；普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn)：輕載時(shí)深度飽和，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開(kāi)通：1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高，一般>10V；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的上升沿； （加速開(kāi)通）3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速開(kāi)通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的下降沿； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 （防止誤導(dǎo)通）上海本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力，祥盛芯城供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái)，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來(lái)！