國瑞熱控依托 10 余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求。服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計(jì)、原型制作、性能測(cè)試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、氮化硅陶瓷）、特殊結(jié)構(gòu)（如多腔體集成、異形加熱面）的加熱盤。配備專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)（含材料學(xué)、熱力學(xué)、機(jī)械設(shè)計(jì)工程師），采用 ANSYS 溫度場(chǎng)仿真軟件優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，原型樣品交付周期**短 10 個(gè)工作日，且提供 3 次**方案迭代。已為國內(nèi)多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商定制**加熱盤，如為某企業(yè)開發(fā)的真空腔體集成加熱盤，實(shí)現(xiàn)加熱與勻氣功能一體化，滿足其特殊制程的空間限制需求。熱解決方案伙伴，深入探討共同優(yōu)化工藝熱管理。中國香港刻蝕晶圓加熱盤

針對(duì)半導(dǎo)體晶圓研磨后的應(yīng)力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩(wěn)定。采用鋁合金基體與柔性導(dǎo)熱墊層復(fù)合結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調(diào)節(jié)范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支持階梯式升溫（每階段升溫 5℃-10℃，保溫 10-30 分鐘），緩慢釋放晶圓內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力。配備氮?dú)獗Ｗo(hù)系統(tǒng)，避免加熱過程中晶圓表面氧化，且加熱盤表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，無顆粒劃傷晶圓風(fēng)險(xiǎn)。與硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)、中環(huán)股份等晶圓廠商合作，使研磨后晶圓翹曲度降低 20% 以上，提升后續(xù)光刻、刻蝕工藝的良率。徐州半導(dǎo)體晶圓加熱盤供應(yīng)商表面特殊處理耐腐蝕易清潔，適用于化學(xué)實(shí)驗(yàn)室食品加工。

國瑞熱控推出半導(dǎo)體加熱盤**溫度監(jiān)控軟件，實(shí)現(xiàn)加熱過程的數(shù)字化管理與精細(xì)控制。軟件具備實(shí)時(shí)溫度顯示功能，可通過圖表直觀呈現(xiàn)加熱盤各區(qū)域溫度變化曲線，支持多臺(tái)加熱盤同時(shí)監(jiān)控，方便生產(chǎn)線集中管理。內(nèi)置溫度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與導(dǎo)出功能，可自動(dòng)記錄加熱過程中的溫度參數(shù)，存儲(chǔ)時(shí)間長達(dá) 1 年，便于工藝追溯與質(zhì)量分析。具備溫度異常報(bào)警功能，當(dāng)加熱盤溫度超出設(shè)定范圍或出現(xiàn)波動(dòng)異常時(shí)，自動(dòng)發(fā)出聲光報(bào)警并記錄異常信息，提醒操作人員及時(shí)處理。軟件兼容 Windows 與 Linux 操作系統(tǒng)，通過以太網(wǎng)與加熱盤控制系統(tǒng)連接，安裝調(diào)試便捷，適配國瑞全系列半導(dǎo)體加熱盤，為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的智能化管理提供技術(shù)支持。

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)的精細(xì)溫控設(shè)計(jì)，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產(chǎn)品采用藍(lán)寶石覆層與鋁合金基體復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面經(jīng)拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產(chǎn)物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協(xié)同適配，通過底部導(dǎo)熱紋路優(yōu)化，使熱量快速傳導(dǎo)至晶圓背面，溫度響應(yīng)時(shí)間縮短至 10 秒以內(nèi)。支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)刻蝕深度需求設(shè)定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場(chǎng)景。設(shè)備整體符合半導(dǎo)體潔凈車間 Class 1 標(biāo)準(zhǔn)，拆卸維護(hù)無需特殊工具，大幅降低生產(chǎn)線停機(jī)時(shí)間。工業(yè)級(jí)耐用加熱盤，耐腐蝕抗沖擊，適應(yīng)嚴(yán)苛工況環(huán)境。

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配MOCVD設(shè)備需求！采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá)150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面！內(nèi)部設(shè)計(jì)8組**加熱模塊，通過PID精密控制實(shí)現(xiàn)±0.5℃的控溫精度，精細(xì)匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口（1050℃-1150℃）！設(shè)備配備惰性氣體導(dǎo)流通道，減少反應(yīng)氣體湍流導(dǎo)致的薄膜缺陷，與中微公司MOCVD設(shè)備聯(lián)合調(diào)試，使外延層厚度均勻性誤差控制在3%以內(nèi)，為5G射頻器件、電力電子器件量產(chǎn)提供**溫控支持！專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)支持，持續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)，產(chǎn)品性能不斷提升。寶山區(qū)陶瓷加熱盤定制

均勻熱場(chǎng)分布，避免局部過熱，保護(hù)敏感樣品工藝質(zhì)量。中國香港刻蝕晶圓加熱盤

國瑞熱控薄膜沉積**加熱盤以精細(xì)溫控助力半導(dǎo)體涂層質(zhì)量提升，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度Ra控制在0.08μm以內(nèi)，減少薄膜沉積過程中的界面缺陷！加熱元件采用螺旋狀分布設(shè)計(jì)，配合均溫層優(yōu)化，使加熱面溫度均勻性達(dá)±0.5℃，確保薄膜厚度偏差小于5%！設(shè)備支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)沉積材料特性設(shè)定多段溫度曲線，適配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生長需求！工作溫度范圍覆蓋100℃至500℃，升溫速率12℃/分鐘，且具備快速冷卻通道，縮短工藝間隔時(shí)間！通過與拓荊科技、北方華創(chuàng)等設(shè)備廠商的聯(lián)合調(diào)試，已實(shí)現(xiàn)與國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備的完美適配，為半導(dǎo)體器件的絕緣層、鈍化層制備提供穩(wěn)定加熱環(huán)境！中國香港刻蝕晶圓加熱盤

無錫市國瑞熱控科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！