國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力！采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度Ra小于0.1μm！內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達90%，升溫速率25℃/分鐘，工作溫度范圍室溫至500℃！設備具備1000小時無故障運行能力，通過國內主流客戶認證，可直接替換進口同類產品，在勻氣盤集成等場景中表現優異，助力半導體設備精密零部件國產化！熱解決方案伙伴，深入探討共同優化工藝熱管理。青浦區陶瓷加熱盤

國瑞熱控12英寸半導體加熱盤專為先進制程量產需求設計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在0.015mm以內，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求！內部采用分區式加熱元件布局，劃分8個**溫控區域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現±0.8℃的控溫精度，滿足7nm至14nm制程對溫度均勻性的嚴苛要求！設備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應腔結構，升溫速率達20℃/分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至600℃，可兼容PVD、CVD、刻蝕等多道關鍵工藝！通過與中芯國際、長江存儲等企業的深度合作，已實現與國產12英寸晶圓生產線的無縫對接，為先進制程規模化生產提供穩定溫控支撐！松江區晶圓加熱盤供應商便于自動化集成，標準接口通訊支持，助力智能制造升級。

依托強大的研發與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導體加熱盤定制服務，滿足特殊工藝與設備的個性化需求！可根據客戶提供的圖紙與參數，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋4英寸至18英寸晶圓規格！材質可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支持電阻加熱、紅外加熱及復合加熱模式，溫度范圍與控溫精度按需設定！通過三維建模與溫度場仿真優化設計方案，原型樣品交付周期縮短至15個工作日，批量生產前提供2臺樣品進行工藝驗證！已為長鑫存儲、華虹半導體等企業定制**加熱盤，適配其自主研發設備，助力國產半導體設備產業鏈完善！

國瑞熱控針對離子注入后雜質***工藝，開發**加熱盤適配快速熱退火需求！采用氮化鋁陶瓷基材，熱導率達200W/mK，熱慣性小，升溫速率達60℃/秒，可在幾秒內將晶圓加熱至1000℃，且降溫速率達40℃/秒，減少熱預算對晶圓的影響！加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實現晶圓正反面溫度均勻（溫差小于2℃）！配備紅外高溫計實時監測晶圓表面溫度，測溫精度±2℃，通過PID控制確保溫度穩定，適配硼、磷等不同雜質的***溫度需求（600℃-1100℃）！與應用材料離子注入機適配，使雜質***率提升至95%以上，為半導體器件的電學性能調控提供關鍵支持！精確穩定溫度環境，提升產品質量一致性，是關鍵工藝保障。

面向半導體新材料研發場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩定性成為科研工具！采用石墨與碳化硅復合基材，工作溫度范圍覆蓋500℃-2000℃，可通過程序設定實現階梯式升溫，升溫速率調節范圍0.1-10℃/分鐘！加熱面配備24組測溫點，實時監測溫度分布，數據采樣頻率達10Hz，支持與實驗室數據系統對接！設備體積緊湊（直徑30cm），重量*5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長等多種實驗需求，已服務于中科院半導體所等科研機構！結構緊湊安裝便捷，多重安全保護，使用安心無顧慮。楊浦區晶圓鍵合加熱盤

創新熱傳導技術，熱量集中不散失，有效降低能源消耗成本。青浦區陶瓷加熱盤

針對晶圓清洗后的烘干環節，國瑞熱控**加熱盤以潔凈高效的特性適配嚴苛需求！產品采用高純不銹鋼基材，表面經電解拋光與鈍化處理，粗糙度Ra小于0.2μm，減少水分子附著與雜質殘留！加熱面采用蜂窩狀導熱結構，使熱量均勻分布，晶圓表面溫度差控制在±2℃以內，避免因局部過熱導致的晶圓翹曲！溫度調節范圍覆蓋50℃至150℃，支持階梯式升溫程序，適配不同清洗液的烘干需求！設備整體采用無死角結構設計，清潔時*需用高純酒精擦拭即可，符合半導體制造的高潔凈標準，為清洗后晶圓的干燥質量與后續工藝銜接提供保障！青浦區陶瓷加熱盤

無錫市國瑞熱控科技有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在江蘇省等地區的電工電氣中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，無錫市國瑞熱控科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！