Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）隔離驅動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。浦東新區制造驅動電路服務熱線

非隔離驅動電路：不具有電氣隔離結構，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。按常見形式分類：直接驅動：由單個電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅動電路，多用于功能簡單的小功率驅動場合。隔離驅動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。**驅動集成芯片：在數字電源中應用***，許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。功率開關管常用驅動MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅動電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅動，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進行驅動。浦東新區制造驅動電路服務熱線心理或情感意義：可以指推動一個人采取行動的內在動力或外部激勵。

IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。

在需要使用比較多的led產品時，如果將所有的LED串聯，將需要LED驅動器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯，則需要LED驅動器輸出較大的電流。將所有的LED串聯或并聯，不但限制著LED的嚴使用量，而且并聯LED負載電流較大，驅動器的成本也會增加，解決辦法是采用混聯方式。串、并聯的LED數量平均分配，這樣，分配在一個LED串聯支路上的電壓相同，同一個串聯支路中每個LED上的電流也基本相同，亮度一致，同時通過每個串聯支路的電流也相近。 [1]驅動電路是用于控制和驅動其他電路或設備的電路。

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節：· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流。· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數據表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。隔離型驅動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。上海本地驅動電路生產企業

它們通常用于控制電機、繼電器、LED、顯示器等負載。浦東新區制造驅動電路服務熱線

驅動電路(Drive Circuit)，位于主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進行放大的中間電路（即放大控制電路的信號使其能夠驅動功率晶體管），稱為驅動電路。驅動電路的作用：將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅動功率晶體管—開關功率放大作用。基本任務驅動電路的基本任務，就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標的要求，轉換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關斷控制信號，以保證器件按要求可靠導通或關斷。浦東新區制造驅動電路服務熱線

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