高精度模擬測(cè)試能力匹配MEMS信號(hào)鏈要求，MEMS傳感器輸出信號(hào)微弱（如微伏級(jí)電容變化或納安級(jí)電流），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的本底噪聲和分辨率要求極高。國(guó)磊（Guolei）GT600可選配的GT-AWGLP02 AWG板卡具備**-122dB THD**（總諧波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超純凈激勵(lì)信號(hào)；同時(shí)其Digitizer支持20~24位采樣，可精確捕獲微弱響應(yīng)。這種能力對(duì)于測(cè)試MEMS麥克風(fēng)的靈敏度、壓力傳感器的滿量程輸出或磁力計(jì)的偏置穩(wěn)定性至關(guān)重要。支持低功耗與寬電壓范圍測(cè)試 許多MEMS器件用于可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等電池供電場(chǎng)景，對(duì)功耗極為敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08電源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**輸出，并具備每引腳**電源控制（PPMU），可精確測(cè)量待機(jī)/工作/休眠各模式下的電流（nA~mA級(jí)），驗(yàn)證MEMS-SoC是否滿足ULP（**功耗）設(shè)計(jì)目標(biāo)，這對(duì)通過(guò)終端產(chǎn)品能效認(rèn)證（如Energy Star）具有直接價(jià)值。國(guó)磊GT600的高精度參數(shù)測(cè)量能力、靈活的電源管理測(cè)試支持、低功耗信號(hào)檢測(cè)精度適配現(xiàn)代低功耗SoC設(shè)計(jì)需求。國(guó)產(chǎn)CAF測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

醫(yī)療成像芯片 CT、MRI、內(nèi)窺鏡等設(shè)備的圖像傳感器（CIS）和圖像信號(hào)處理器（ISP）對(duì)圖像質(zhì)量要求極高。國(guó)磊GT600可通過(guò)高速數(shù)字通道測(cè)試ISP的圖像處理算法（如降噪、邊緣增強(qiáng)），并通過(guò)AWG注入模擬圖像信號(hào)，驗(yàn)證成像鏈路的完整性與色彩還原度。 4. 植入式醫(yī)療設(shè)備芯片 心臟起搏器、神經(jīng)刺激器等植入設(shè)備的芯片必須**功耗、超高可靠。國(guó)磊GT600的FVMI模式可精確測(cè)量uA級(jí)靜態(tài)電流，篩選出“省電體質(zhì)”芯片；其支持長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試，可模擬10年以上使用壽命，確保植入后萬(wàn)無(wú)一失。 綜上，國(guó)磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”測(cè)試能力，為國(guó)產(chǎn)**醫(yī)療芯片的上市提供了堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。國(guó)產(chǎn)絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)精選廠家國(guó)磊GT600可以進(jìn)行電壓裕量測(cè)試（VoltageMargining）即動(dòng)態(tài)調(diào)整供電電壓，驗(yàn)證芯片在電壓波動(dòng)下的穩(wěn)定性。

智能駕駛對(duì)高性能SoC芯片的依賴日益加深。隨著L2+至L4級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)的快速演進(jìn)，車載計(jì)算平臺(tái)對(duì)SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）的性能、可靠性與實(shí)時(shí)性提出了前所未有的高要求。這些SoC通常集成了CPU、GPU、NPU、ISP及**AI加速單元，用于處理多傳感器融合、路徑規(guī)劃與決策控制等復(fù)雜任務(wù)。然而，如此復(fù)雜的芯片架構(gòu)對(duì)測(cè)試環(huán)節(jié)構(gòu)成了巨大挑戰(zhàn)。杭州國(guó)磊GT600 SoC測(cè)試機(jī)憑借高達(dá)400 MHz的測(cè)試速率、512至2048個(gè)數(shù)字通道以及每通道高達(dá)128M的向量存儲(chǔ)深度，能夠高效覆蓋智能駕駛SoC在功能驗(yàn)證階段所需的高并發(fā)、高精度測(cè)試場(chǎng)景，為芯片從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)保障。

在量子科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)構(gòu)建本土化測(cè)控生態(tài)時(shí)，采用國(guó)產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)可降低技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn)，加速?gòu)膶?shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。雖然國(guó)磊（Guolei）GT600并非直接用于測(cè)量量子態(tài)或操控量子比特，但作為支撐量子系統(tǒng)“經(jīng)典側(cè)”電子學(xué)的**測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施，它在量子芯片外圍電路驗(yàn)證、控制SoC量產(chǎn)、供應(yīng)鏈安全等方面具有不可替代的價(jià)值。未來(lái)，隨著“量子-經(jīng)典混合系統(tǒng)”復(fù)雜度提升，高性能SoC測(cè)試設(shè)備與量子科技的耦合將更加緊密。因此，杭州國(guó)磊（Guolei）的SoC測(cè)試系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利器，也正在成為量子科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的一塊關(guān)鍵拼圖。國(guó)磊GT600測(cè)試系統(tǒng)只需通過(guò)“配置升級(jí)”和“方案打包”，就能快速適配Chiplet的復(fù)雜測(cè)試需求。

    MEMS射頻開關(guān)與濾波器（RFMEMS）用于5G通信前端模塊，具有低插損、高隔離度優(yōu)勢(shì)。雖MEMS本體為無(wú)源器件，但常集成驅(qū)動(dòng)/控制CMOS電路。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：測(cè)試驅(qū)動(dòng)IC的開關(guān)時(shí)序（TMU精度達(dá)10ps）；驗(yàn)證控制邏輯與使能信號(hào)的數(shù)字功能；測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓（可達(dá)7V）與靜態(tài)/動(dòng)態(tài)功耗；雖不直接測(cè)S參數(shù)，但可確?？刂齐娐房煽啃?，間接保障RF性能。光學(xué)MEMS（如微鏡、光開關(guān)）應(yīng)用于激光雷達(dá)（LiDAR）、投影顯示（DLP替代）、光通信。其驅(qū)動(dòng)ASIC需提供高精度PWM或模擬電壓控制微鏡偏轉(zhuǎn)角度。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：AWG輸出多通道模擬控制波形，驗(yàn)證微鏡響應(yīng)一致性；TMU測(cè)量開關(guān)建立時(shí)間與穩(wěn)定時(shí)間；數(shù)字通道驗(yàn)證SPI配置寄存器功能；支持多通道同步測(cè)試，適配陣列式MEMS微鏡模組。 低功耗SoC應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等高量產(chǎn)場(chǎng)景。國(guó)磊GT600支持512Sites并行測(cè)試，降低芯片的測(cè)試成本。上海CAF測(cè)試系統(tǒng)按需定制

國(guó)磊GT600支持多Site并行測(cè)試，提升電源管理芯片、運(yùn)放等高量產(chǎn)型號(hào)的測(cè)試效率與產(chǎn)能。國(guó)產(chǎn)CAF測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

    低溫CMOS芯片的常溫預(yù)篩與參數(shù)表征許多用于量子計(jì)算的控制芯片需在毫開爾文溫度下工作，但其制造仍基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。在封裝并送入稀釋制冷機(jī)前，必須通過(guò)常溫下的嚴(yán)格電性測(cè)試進(jìn)行預(yù)篩選。杭州國(guó)磊（Guolei）GT600支持每引腳PPMU（參數(shù)測(cè)量單元）和可編程浮動(dòng)電源（），能精確測(cè)量微弱電流、漏電及閾值電壓漂移等關(guān)鍵參數(shù)，有效剔除早期失效器件，避免昂貴的低溫測(cè)試資源浪費(fèi)。量子測(cè)控SoC的量產(chǎn)驗(yàn)證平臺(tái)隨著量子計(jì)算機(jī)向百比特以上規(guī)模演進(jìn)，集成化“量子測(cè)控SoC”成為趨勢(shì)（如Intel的HorseRidge芯片）。這類芯片集成了多通道微波信號(hào)調(diào)制、頻率合成、反饋控制等功能，結(jié)構(gòu)復(fù)雜度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行測(cè)試能力、128M向量深度及400MHz測(cè)試速率，完全可滿足此類**SoC在工程驗(yàn)證與小批量量產(chǎn)階段的功能覆蓋與性能分bin需求。 國(guó)產(chǎn)CAF測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格