兼容探針臺(tái)與分選機(jī)，打通晶圓到封裝測(cè)試鏈路。智能駕駛芯片需經(jīng)歷晶圓測(cè)試（CP）與封裝測(cè)試（FT）雙重驗(yàn)證。杭州國磊GT600支持GPIB、TTL等標(biāo)準(zhǔn)接口，可無縫對(duì)接主流探針臺(tái)與分選機(jī)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)從裸片到成品的全流程自動(dòng)化測(cè)試。尤其在高溫、低溫等車規(guī)級(jí)應(yīng)力測(cè)試條件下，杭州國磊GT600的小型化、低功耗設(shè)計(jì)有助于在溫控腔體內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的一致性與可重復(fù)性，為芯片通過AEC-Q100認(rèn)證提供可靠數(shù)據(jù)支撐。國產(chǎn)**測(cè)試設(shè)備助力智能駕駛產(chǎn)業(yè)鏈自主可控在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈緊張與技術(shù)封鎖背景下，國產(chǎn)高性能測(cè)試設(shè)備的戰(zhàn)略意義凸顯。杭州國磊GT600作為國內(nèi)少有的支持2048通道、400MHz速率的SoC測(cè)試機(jī)，已獲得行業(yè)專業(yè)客戶認(rèn)可，標(biāo)志著我國在**ATE領(lǐng)域取得突破。對(duì)于智能駕駛這一關(guān)乎國家交通安全與科技**的關(guān)鍵賽道，采用國磊GT600不僅可降低對(duì)國外測(cè)試設(shè)備的依賴，更能通過本地化技術(shù)支持快速響應(yīng)芯片廠商的定制需求，加速中國智能駕駛芯片生態(tài)的自主化與全球化進(jìn)程。 國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)邊沿精度（EPA）達(dá)100ps，確保HBM高速信號(hào)建立/保持時(shí)間（Setup/Hold）的精確測(cè)量。國磊PCB測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備面向通用CPU/GPU設(shè)計(jì)，難以應(yīng)對(duì)AI芯片特有的稀疏計(jì)算、張量**、片上互聯(lián)等新架構(gòu)。GT600針對(duì)此類需求優(yōu)化了測(cè)試向量調(diào)度機(jī)制與并行激勵(lì)生成能力，支持對(duì)非規(guī)則數(shù)據(jù)流、動(dòng)態(tài)稀疏***、混合精度運(yùn)算的專項(xiàng)驗(yàn)證。其靈活的時(shí)鐘域管理還可模擬多頻異構(gòu)系統(tǒng)的工作狀態(tài)。這種“為AI而生”的設(shè)計(jì)理念，使GT600不僅兼容現(xiàn)有芯片，更能前瞻性支持下一代AI硬件創(chuàng)新。在杭州打造“中國算力之城”的進(jìn)程中，GT600正推動(dòng)測(cè)試從“功能檢查”向“場景仿真”演進(jìn)，**國產(chǎn)測(cè)試技術(shù)范式升級(jí)。長沙PCB測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高達(dá)2048個(gè)數(shù)字通道，滿足HBM接口千級(jí)I/O引腳的并行測(cè)試需求。

現(xiàn)代AI芯片集成度極高，動(dòng)輒擁有上千引腳，傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備因通道數(shù)量不足，往往需分時(shí)復(fù)用或多輪測(cè)試，不僅效率低下，還可能遺漏關(guān)鍵時(shí)序問題。杭州國磊GT600比較高支持2048個(gè)數(shù)字通道，可一次性完成全引腳并行測(cè)試，確保高速數(shù)據(jù)總線、多核NPU互連、HBM內(nèi)存接口等復(fù)雜結(jié)構(gòu)的功能完整性與時(shí)序一致性。這一能力對(duì)寒武紀(jì)、壁仞、燧原等國產(chǎn)AI芯片企業(yè)尤為重要。在大模型訓(xùn)練芯片追求***帶寬與低延遲的***，GT600的高通道密度成為驗(yàn)證真實(shí)工作負(fù)載下系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵工具，大幅縮短芯片從流片到量產(chǎn)的周期，助力國產(chǎn)AI算力快速落地?cái)?shù)據(jù)中心與邊緣場景。

數(shù)據(jù)中心芯片的“能效裁判” 在“雙碳”目標(biāo)下，數(shù)據(jù)中心能耗成為焦點(diǎn)，芯片能效比（Performance per Watt）成為**指標(biāo)。杭州國磊GT600通過PPMU精確測(cè)量AI加速芯片、服務(wù)器CPU的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，繪制完整的功耗-性能曲線，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFS）策略。其FIMV模式還可檢測(cè)芯片在高負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)。杭州國磊GT600支持長時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試，模擬數(shù)據(jù)中心7x24小時(shí)運(yùn)行場景，篩選出“耐力型”芯片。512站點(diǎn)并行測(cè)試大幅降低單顆芯片測(cè)試時(shí)間與成本，適配萬片級(jí)量產(chǎn)需求。杭州國磊GT600不僅是性能的驗(yàn)證者，更是能效的“精算師”，助力國產(chǎn)芯片在綠色計(jì)算時(shí)代贏得市場。國磊GT600的SMU覆蓋從高壓IO（3.3V）到低電壓he心（0.6V~1.2V）的多種電源域，適配不同節(jié)點(diǎn)供電要求。

國磊（Guolei）的SoC測(cè)試機(jī)（如GT600）雖然主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試，但其技術(shù)能力與MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊（包含機(jī)械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等），但在實(shí)際應(yīng)用中，絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝（如慣性測(cè)量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等），而這些配套電路的測(cè)試正是國磊SoC測(cè)試機(jī)的**應(yīng)用場景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測(cè)試需求，現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如，加速度計(jì)/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量，而配套的ASIC則完成信號(hào)調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和數(shù)字接口輸出。這類ASIC往往具備高精度模擬前端（如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC）、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口，屬于典型的混合信號(hào)SoC。 國磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測(cè)量單元及TMU時(shí)間測(cè)量功能，可***驗(yàn)證此類MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時(shí)序響應(yīng)和電源抑制比，確保傳感器整體精度與可靠性。國磊GT600可配置GT-DPSMV08電源板卡，提供-2.5V~7V電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，覆蓋多種模擬IC的供電測(cè)試場景。南京PCB測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

國磊GT600可使用AWG生成模擬輸入信號(hào)，Digitizer捕獲輸出，計(jì)算INL、DNL、SNR、THD等指標(biāo)。國磊PCB測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

    杭州國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)之所以特別適用于高?？蒲袌鼍埃?*在于其開放性、靈活性、多功能性與高性價(jià)比，完美契合高校在芯片教學(xué)、科研探索與原型驗(yàn)證中的獨(dú)特需求。首先，高度開放的軟件生態(tài)是科研創(chuàng)新的基礎(chǔ)。GT600搭載GTFY軟件系統(tǒng)，支持C++編程語言，并兼容VisualStudio等主流開發(fā)環(huán)境。這意味著高校師生無需依賴封閉的“黑盒子”軟件，可自主編寫、調(diào)試和優(yōu)化測(cè)試程序，靈活實(shí)現(xiàn)各類新型芯片架構(gòu)（如RISC-V、存算一體、類腦計(jì)算）的功能驗(yàn)證。這種開放性極大激發(fā)了學(xué)生的工程實(shí)踐能力與教師的科研創(chuàng)造力。其次，模塊化硬件架構(gòu)支持多樣化實(shí)驗(yàn)需求。GT600提供16個(gè)通用插槽，可自由混插數(shù)字、模擬（AWG/TMU）、電源（SMU/DPS）等板卡，構(gòu)建從純數(shù)字邏輯到混合信號(hào)的完整測(cè)試平臺(tái)。無論是驗(yàn)證一顆自研MCU的GPIO功能，還是測(cè)試新型傳感器接口的模擬性能，亦或是表征先進(jìn)工藝下的漏電特性，GT600都能“一機(jī)多用”，避免高校重復(fù)采購多臺(tái)**設(shè)備，***提升設(shè)備利用率。第三，高精度測(cè)量能力支撐前沿研究。GT600的PPMU可測(cè)nA級(jí)電流，TMU時(shí)間分辨率達(dá)10ps，適用于FinFET、GAA等先進(jìn)工藝下低功耗器件的特性表征。 國磊PCB測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商