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  • IXYS艾賽斯DSEP2X61-12A
    IXYS艾賽斯DSEP2X61-12A

    新能源汽車充電機對整流效率與可靠性要求極高,Ixys 艾賽斯整流橋模塊為其提供了高效的前端整流解決方案。充電機中多采用三相整流橋模塊,將電網交流電轉換為直流電后,再通過 DC-DC 轉換器為動力電池充電。模塊具備高電流密度特性(可達 5A/mm2),適配快充場景的大電流需求,低導通壓降特性降低了整流損耗,使充電機轉換效率突破 96%。封裝采用耐高溫設計,能適應充電機長時間高負載運行的溫升環境,且具備良好的抗振動、沖擊性能,適配車載或戶外充電樁的安裝需求。在直流快充樁、車載充電機(OBC)等設備中,整流橋模塊確保了充電過程的高效與安全,縮短了充電時間。Ixys艾賽斯可控硅模塊通過UL認證,質量可...

  • IXYS艾賽斯MUBW25-12T7
    IXYS艾賽斯MUBW25-12T7

    新能源汽車三電系統(電池、電機、電控)高度依賴 Ixys 艾賽斯模塊的性能支撐。電機控制器中,SiC MOS 管模塊將動力電池直流電逆變為交流電,其低損耗特性使續航里程提升 10% 以上;車載充電機(OBC)采用超級結 MOS 管模塊,實現 97% 以上的充電效率,適配快充需求;電池管理系統(BMS)則使用低壓 MOS 管模塊,實現電芯均衡與過流保護。這些模塊均采用耐高溫(175℃以上)、抗振動封裝,通過 AEC-Q100 汽車級認證,在比亞迪、特斯拉等**車型中已實現規模化應用。Ixys艾賽斯MOS管支持寬電壓范圍工作,從幾十伏到上千伏均有覆蓋,適配多元應用需求。IXYS艾賽斯MUBW25-...

  • IXYS艾賽斯MCC501-18IO2
    IXYS艾賽斯MCC501-18IO2

    整流二極管模塊是 Ixys 艾賽斯針對交流電轉直流電場景開發的**器件,通過單路、雙路或橋式整流結構,滿足不同功率等級的整流需求。模塊內部采用多芯片并聯設計,配合優化的均流結構,確保大電流下各芯片電流分布均勻,避免局部過熱。其正向電流承載能力從 50A 到 2000A 不等,反向耐壓*高可達 6500V,且具備出色的浪涌電流耐受能力,能應對啟動瞬間的電流沖擊。在工業整流器、電鍍電源、不間斷電源(UPS)等設備中,該模塊作為電能轉換的前端**,為后續電路提供穩定的直流電源,保障系統可靠運行。IXYS艾賽斯模塊醫療設備款,低噪聲保障MRI成像精度。IXYS艾賽斯MCC501-18IO2IXYS艾賽...

  • IXYS艾賽斯VBO105-14NO7
    IXYS艾賽斯VBO105-14NO7

    在工業電機控制領域,Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊發揮著關鍵作用。電機在工業生產中應用***,從大型工廠的機械運轉到小型設備的動力驅動都離不開它。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊能夠精確地控制電機的啟動、停止、轉速調節等運行狀態。通過快速、穩定地切換電流,實現對電機轉矩的精確控制,使電機運行更加平穩,避免了啟動時的沖擊電流對設備的損害。其高可靠性和高效率的特點,不僅能保證工業生產的連續性,還能降低電機的能耗,為企業節省大量的電力成本,提升生產效益,助力工業生產向高效、節能方向發展。Ixys艾賽斯可控硅模塊支持高頻率工作,適用于對頻率響應要求高的電力轉換系統。IXYS艾賽斯VBO105-14N...

  • IXYS艾賽斯VUO86-12NO7
    IXYS艾賽斯VUO86-12NO7

    隨著可再生能源的快速發展,光伏發電日益普及。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊在光伏逆變器中扮演著**角色。光伏逆變器的主要功能是將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電,以便接入電網或供負載使用。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊憑借其低開關損耗和高電流承載能力,能夠高效地完成這一電能轉換過程。在不同光照強度和溫度條件下,模塊都能穩定工作,確保光伏逆變器輸出高質量的交流電,提高光伏發電系統的整體轉換效率,為太陽能的廣泛應用和可持續發展提供了堅實的技術支持,推動了清潔能源產業的進步。IXYS艾賽斯模塊肖特基模塊零反向恢復電荷,低壓大電流場景損耗極低。IXYS艾賽斯VUO86-12NO7IXYS艾賽斯...

  • IXYS艾賽斯MCD95-12iO1B
    IXYS艾賽斯MCD95-12iO1B

    在醫療設備領域,對電氣設備的穩定性、可靠性和安全性要求極高,Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊恰好滿足了這些嚴格要求。例如在一些大型醫療影像設備中,如磁共振成像(MRI)設備和計算機斷層掃描(CT)設備,需要高精度、高穩定性的電源供應來保證設備的正常運行和圖像質量。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊能夠精確控制電源的輸出,為設備提供穩定的電力,確保成像過程的順利進行,幫助醫生獲取清晰、準確的影像信息,從而為疾病診斷提供有力依據。在生命支持設備中,其可靠性更是關乎患者的生命安全,保障了設備的不間斷運行。Ixys艾賽斯場效應管采用屏蔽柵極結構,有效降低米勒電容,減少開關損耗,優化系統效率。IXYS艾賽...

  • IXYS艾賽斯MMO110-08IO7
    IXYS艾賽斯MMO110-08IO7

    IXYN80N90C3H1 是 Ixys 艾賽斯一款專為高頻應用設計的 IGBT 模塊。它在 20 - 50kHz 的開關頻率下表現***,特別適用于高頻電源逆變器、開關電源模塊等領域。該模塊集成了反并聯肖特基二極管,極大地提升了其在高頻環境下的性能。在高頻工作時,其低開關損耗特性明顯,能夠有效減少能量損耗,提高系統效率。同時,它具備強大的電流處理能力,*大持續電流可達 115A,確保在高負載情況下也能穩定運行。其方形的反向偏置安全工作區域,進一步保障了在復雜電路條件下操作的可靠性,為高頻電力轉換應用提供了優*的解決方案。Ixys艾賽斯其主要業務涵蓋功率半導體、模塊及系統解決方案,服務全球工業...

  • IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B
    IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

    超級結 MOS 管(SJ-MOS)是 Ixys 艾賽斯在 MOS 管技術上的重大突破,通過 P 型與 N 型交替的外延層結構,突破了傳統 MOS 管 “導通電阻 - 擊穿電壓” 的制約關系,實現高耐壓與低導通損耗的雙重優勢。其電壓等級覆蓋 600V-1.2kV,電流至 200A,反向恢復電荷*為傳統 MOS 管的 1/3,開關損耗降低 50% 以上。采用先進的平面柵設計與離子注入工藝,確保器件在高頻工況下穩定運行,dv/dt 耐受能力可達 5000V/μs。在光伏逆變器、高頻開關電源、不間斷電源(UPS)等高頻高效場景中,SJ-MOS 管成為提升系統能效的**器件。Ixys艾賽斯IGBT具備高...

  • IXYS艾賽斯MCD720-18IO7
    IXYS艾賽斯MCD720-18IO7

    不間斷電源(UPS)在現代社會中至關重要,尤其是在數據中心、通信基站等對電力連續性要求極高的場所。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊是 UPS 備用系統的**部件之一。當市電正常時,模塊協助 UPS 對電池進行充電管理,確保電池處于良好狀態;而當市電突然中斷,模塊能夠迅速切換工作模式,將電池中的直流電轉換為交流電,為負載提供持續穩定的電力供應。其快速的開關響應速度和高可靠性,保證了在市電中斷的瞬間,負載設備不會因斷電而受到損害,有效避免了數據丟失、通信中斷等嚴重后果,保障了關鍵業務的連續性和穩定性。Ixys艾賽斯場效應管采用屏蔽柵極結構,有效降低米勒電容,減少開關損耗,優化系統效率。IXYS艾賽...

  • IXYS艾賽斯MEA75-12DA
    IXYS艾賽斯MEA75-12DA

    Ixys 艾賽斯模塊為新能源發電提供從發電端到并網端的全鏈條解決方案。光伏領域,組串式逆變器采用超級結 MOS 管模塊與快恢復二極管模塊,實現 98.5% 以上的轉換效率;集中式逆變器則配套 6500V IGBT 模塊,適配高電壓輸入場景。風電領域,變槳系統使用 IGBT 模塊控制葉片角度,變流器采用可控硅 + 整流橋復合模塊,實現風能向電能的高效轉換。此外,儲能系統中廣泛應用肖特基二極管模塊與 MOS 管模塊,保障充放電過程的低損耗與高可靠性,為 “風光儲” 一體化提供**器件支撐。Ixys艾賽斯IGBT封裝集成高效散熱基板,結溫耐受度高,可在-40℃至175℃環境穩定工作。IXYS艾賽斯M...

  • IXYS艾賽斯VBO88-08NO7
    IXYS艾賽斯VBO88-08NO7

    在工業自動化領域,Ixys 艾賽斯模塊是實現高效生產的 “動力中樞”。工業變頻器中,IGBT 模塊通過高頻開關控制電機轉速,適配風機、水泵等負載的調速需求,節能率可達 30%;焊接設備采用快恢復二極管 + MOS 管復合模塊,實現焊接電流的精確調節,減少飛濺與氣孔;數控機床的伺服系統使用低噪聲 IGBT 模塊,保障主軸與進給軸的高精度運動。此外,工業電源設備中廣泛應用整流橋模塊與 MOS 管模塊,為 PLC、傳感器等控制元件提供穩定電力,形成 “驅動 - 控制 - 電源” 全環節模塊支撐體系。Ixys艾賽斯MOS管支持寬電壓范圍工作,從幾十伏到上千伏均有覆蓋,適配多元應用需求。IXYS艾賽斯V...

  • IXYS艾賽斯VBO72-18NO7
    IXYS艾賽斯VBO72-18NO7

    高壓 MOS 管是 Ixys 艾賽斯針對中高壓電力系統開發的**產品,電壓等級覆蓋 1kV-10kV,電流范圍 10A-500A,專為高壓變頻器、高壓電源等場景設計。其采用先進的外延層堆疊技術與場板結構優化,通過增厚漂移區并精確控制摻雜濃度,實現超高擊穿電壓,同時降低導通電阻。部分型號集成反向恢復二極管,簡化電路設計,且具備出色的 dv/dt 耐受能力,可抑制高壓開關過程中的浪涌電壓。封裝采用強化絕緣的 MODULE 或 TO-247 形式,爬電距離符合國際高壓標準,在高壓直流輸電(HVDC)、工業高頻加熱設備中,為系統提供穩定的高壓開關控制。Ixys艾賽斯可控硅模塊支持高頻率工作,適用于對頻...

  • IXYS艾賽斯MDMA380P1600KC
    IXYS艾賽斯MDMA380P1600KC

    軌道交通牽引系統對功率半導體器件的功率等級與耐環境性能要求極高,Ixys 艾賽斯二極管模塊憑借高功率密度與強環境適應性成為*選。在牽引變流器中,整流二極管模塊將接觸網的交流電轉換為直流電,其反向耐壓可達 6500V,電流等級超過 1000A,能滿足牽引電機的大功率需求;續流二極管模塊與 IGBT 配合,實現牽引電機的四象限運行,其快恢復特性減少了開關損耗,提升了變流器效率。模塊采用強化的機械結構與密封設計,能耐受軌道交通場景中的振動、沖擊與粉塵侵蝕,且具備寬溫度工作范圍,確保列車在不同氣候條件下穩定運行。Ixys艾賽斯IGBT封裝集成高效散熱基板,結溫耐受度高,可在-40℃至175℃環境穩定工...

  • IXYS艾賽斯MCC310-14IO1
    IXYS艾賽斯MCC310-14IO1

    Ixys 艾賽斯雪崩二極管模塊專為電路過壓保護設計,利用二極管的雪崩擊穿效應,在電路出現瞬時過壓時快速導通,將過壓能量泄放至地,保護后端器件免受損壞。模塊采用強化的硅芯片結構與精確的摻雜工藝,實現了可控的雪崩擊穿電壓與穩定的擊穿特性,擊穿電壓精度可控制在 ±5% 以內。其峰值脈沖功率耐受能力從數百瓦到數十千瓦不等,響應時間短至納秒級,且具備重復雪崩工作能力。在電力電子系統的浪涌防護、IGBT 過壓箝位等場景中,該模塊能提供可靠的安全保障,降低系統因過壓故障導致的停機風險。IXYS艾賽斯模塊快恢復模塊反向恢復只要數十納秒,有效抑制高頻工況浪涌干擾。IXYS艾賽斯MCC310-14IO1IXYS艾...

  • IXYS艾賽斯MCDA550-12IO1
    IXYS艾賽斯MCDA550-12IO1

    整流橋模塊是將多顆整流二極管按特定拓撲結構集成封裝的功率半導體器件,**功能是實現交流電向直流電的轉換,是電力電子系統的 “電能轉換門戶”。Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業,其整流橋模塊以高集成度、高可靠性和低損耗為**優勢,通過優化的芯片匹配與封裝設計,解決了分立二極管組合電路中電流不均、散熱不佳的痛點。產品電壓等級覆蓋 50V-6500V,電流范圍從 10A 至 3000A,可適配從家用小功率設備到工業大功率系統的全場景整流需求,在電源設備、工業驅動、新能源等領域發揮著不可替代的作用,為后續電路提供穩定的直流電能支撐。Ixys艾賽斯IGBT的短路耐受能力,能抵御數微秒短路沖擊,...

  • IXYS艾賽斯DSEP2X61-03A
    IXYS艾賽斯DSEP2X61-03A

    Ixys 艾賽斯構建了業內**完善的功率半導體模塊矩陣,按**器件類型可劃分為五大類:IGBT 模塊聚焦高頻大功率轉換,適配電機驅動與新能源逆變場景;二極管模塊以快恢復、肖特基特性為**,滿足續流與整流需求;可控硅模塊主打高壓大電流控制,服務于電力系統與工業調速;整流橋模塊集成橋式拓撲,簡化交直流轉換電路;MOS 管模塊則以高頻低損耗優勢,適配電源與驅動場景。這種全品類布局并非簡單堆砌,而是基于 “場景 - 性能” 精確匹配邏輯,例如為光伏逆變器配套 IGBT + 快恢復二極管復合模塊,為電動汽車定制 SiC MOS 管集成模塊,形成覆蓋全功率等級、全應用場景的產品生態。憑借功率循環能力,Ix...

  • IXYS艾賽斯VUC25-16GO2
    IXYS艾賽斯VUC25-16GO2

    MOS 管(金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管)是電壓控制型功率半導體器件,**通過柵極電壓形成導電溝道實現電流通斷控制,具有開關速度快、驅動功率小、高頻特性優異等優勢。Ixys 艾賽斯作為功率半導體**企業,其 MOS 管以高可靠性、低損耗、寬電壓覆蓋為核心競爭力,通過先進的芯片設計與封裝工藝,解決了傳統 MOS 管在大功率場景下的散熱瓶頸與電流不均問題。產品電壓等級覆蓋 100V-10kV,電流范圍從 1A 至 1000A,涵蓋單管、模塊等多種形態,適配從消費電子到工業高壓的全場景電力控制需求,在電源轉換、電機驅動、新能源等領域扮演著 “電力開關**” 的角色。IXYS艾賽斯模塊UPS系統...

  • IXYS艾賽斯VBO36-08NO8
    IXYS艾賽斯VBO36-08NO8

    Ixys 艾賽斯模塊為新能源發電提供從發電端到并網端的全鏈條解決方案。光伏領域,組串式逆變器采用超級結 MOS 管模塊與快恢復二極管模塊,實現 98.5% 以上的轉換效率;集中式逆變器則配套 6500V IGBT 模塊,適配高電壓輸入場景。風電領域,變槳系統使用 IGBT 模塊控制葉片角度,變流器采用可控硅 + 整流橋復合模塊,實現風能向電能的高效轉換。此外,儲能系統中廣泛應用肖特基二極管模塊與 MOS 管模塊,保障充放電過程的低損耗與高可靠性,為 “風光儲” 一體化提供**器件支撐。Ixys艾賽斯IGBT的短路耐受能力,能抵御數微秒短路沖擊,提升電力系統可靠性。IXYS艾賽斯VBO36-08...

  • IXYS艾賽斯MKI50-06A7T
    IXYS艾賽斯MKI50-06A7T

    焊接設備對電力的精確控制和高效轉換有著嚴格要求,Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊在這方面表現出色。在焊接過程中,需要根據不同的焊接材料、焊接工藝和焊接要求,提供穩定、合適的焊接電流和電壓。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊能夠快速、精確地調節輸出功率,確保焊接過程中電弧的穩定性。其高電流承載能力和低導通損耗,使得焊接設備在長時間工作時也能保持高效運行,提高了焊接質量和生產效率。同時,模塊的可靠性保證了焊接設備在復雜工業環境下的穩定運行,減少了設備故障和維護成本,為焊接行業的發展提供了有力支持。Ixys艾賽斯場效應管通過AEC-Q101汽車級認證,滿足車載環境的嚴苛可靠性與溫度要求。IXYS艾賽斯...

  • IXYS艾賽斯MIAA20WB600TMH
    IXYS艾賽斯MIAA20WB600TMH

    Ixys 成立于 1983 年,**初主要向高速列車提供高功率 IGBT,是美國**早從事 IGBT 產品的半導體企業。自成立以來,Ixys 始終致力于提高效率、降低能耗的功率半導體產品的研發和生產。多年來,通過不斷的技術創新與積累,其 IGBT 模塊在性能上取得了巨大突破。從**初簡單滿足基本電力轉換需求,到如今能在復雜、高要求的應用場景中穩定運行,Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊見證了電力電子技術的飛速發展,也憑借自身優勢在市場中占據了重要地位,為眾多行業的電力驅動與控制提供了可靠保障。Ixys艾賽斯可控硅模塊具有高浪涌電流承受能力,能應對電路中瞬間的大電流沖擊,確保系統穩定運行。IXYS...

  • IXYS艾賽斯MDD44-14N1B
    IXYS艾賽斯MDD44-14N1B

    Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業,其二極管模塊延續了品牌在高效能、高可靠性上的技術基因,專為中高功率電力電子系統設計。不同于分立二極管,模塊通過集成化封裝將多顆二極管芯片組合,實現了更高的功率密度與更優的散熱性能。**價值體現在對電能轉換過程的精確調控 —— 無論是整流、續流還是箝位保護,都能憑借低正向壓降、高反向耐壓的特性降低能量損耗。從工業驅動到新能源發電,Ixys 二極管模塊為各類系統提供了穩定的電流導向解決方案,是保障電力電子設備高效運行的關鍵器件。Ixys艾賽斯MOS管高溫環境下仍保持穩定性能,結溫耐受度高,適用于惡劣工業場景。IXYS艾賽斯MDD44-14N1BIXYS...

  • IXYS艾賽斯MCD162-14iO1
    IXYS艾賽斯MCD162-14iO1

    整流橋模塊是將多顆整流二極管按特定拓撲結構集成封裝的功率半導體器件,**功能是實現交流電向直流電的轉換,是電力電子系統的 “電能轉換門戶”。Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業,其整流橋模塊以高集成度、高可靠性和低損耗為**優勢,通過優化的芯片匹配與封裝設計,解決了分立二極管組合電路中電流不均、散熱不佳的痛點。產品電壓等級覆蓋 50V-6500V,電流范圍從 10A 至 3000A,可適配從家用小功率設備到工業大功率系統的全場景整流需求,在電源設備、工業驅動、新能源等領域發揮著不可替代的作用,為后續電路提供穩定的直流電能支撐。工業電源設備里,Ixys艾賽斯場效應管其精確的電流控制能力,...

  • IXYS艾賽斯IXA20PG1200DHGLB
    IXYS艾賽斯IXA20PG1200DHGLB

    新能源汽車充電機對整流效率與可靠性要求極高,Ixys 艾賽斯整流橋模塊為其提供了高效的前端整流解決方案。充電機中多采用三相整流橋模塊,將電網交流電轉換為直流電后,再通過 DC-DC 轉換器為動力電池充電。模塊具備高電流密度特性(可達 5A/mm2),適配快充場景的大電流需求,低導通壓降特性降低了整流損耗,使充電機轉換效率突破 96%。封裝采用耐高溫設計,能適應充電機長時間高負載運行的溫升環境,且具備良好的抗振動、沖擊性能,適配車載或戶外充電樁的安裝需求。在直流快充樁、車載充電機(OBC)等設備中,整流橋模塊確保了充電過程的高效與安全,縮短了充電時間。IXYS艾賽斯模塊整流橋模塊集成橋式結構,簡...

  • IXYS艾賽斯MDNA85P2200TG
    IXYS艾賽斯MDNA85P2200TG

    Ixys 艾賽斯整流橋模塊擁有完善的產品矩陣,按相數可分為單相、三相整流橋;按性能可分為普通整流橋、快恢復整流橋、肖特基整流橋;按電壓可覆蓋 50V-6500V,電流范圍 10A-3000A,封裝形式包括 DIP、SMD、MODULE、平板型等多種規格。針對特殊應用場景,Ixys 提供定制化服務,可根據客戶需求調整模塊的電氣參數(如導通壓降、反向耐壓)、封裝結構(如引腳布局、散熱方式)與集成功能(如內置溫度傳感器、均流電阻),例如為船舶電力系統定制耐鹽霧腐蝕的整流橋模塊,為航空航天設備定制輕量化、耐高溫的整流橋模塊。同時,公司提供詳盡的技術手冊、應用筆記與仿真模型,配合專業技術團隊提供全流程支...

  • IXYS艾賽斯MDD44-08N1B
    IXYS艾賽斯MDD44-08N1B

    IXYN80N90C3H1 是 Ixys 艾賽斯一款專為高頻應用設計的 IGBT 模塊。它在 20 - 50kHz 的開關頻率下表現***,特別適用于高頻電源逆變器、開關電源模塊等領域。該模塊集成了反并聯肖特基二極管,極大地提升了其在高頻環境下的性能。在高頻工作時,其低開關損耗特性明顯,能夠有效減少能量損耗,提高系統效率。同時,它具備強大的電流處理能力,*大持續電流可達 115A,確保在高負載情況下也能穩定運行。其方形的反向偏置安全工作區域,進一步保障了在復雜電路條件下操作的可靠性,為高頻電力轉換應用提供了優*的解決方案。艾賽斯注重技術創新,持續推出低損耗、高可靠性的功率半導體新品。IXYS艾...

  • IXYS艾賽斯DSEI2X31-10B
    IXYS艾賽斯DSEI2X31-10B

    Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業,其二極管模塊延續了品牌在高效能、高可靠性上的技術基因,專為中高功率電力電子系統設計。不同于分立二極管,模塊通過集成化封裝將多顆二極管芯片組合,實現了更高的功率密度與更優的散熱性能。**價值體現在對電能轉換過程的精確調控 —— 無論是整流、續流還是箝位保護,都能憑借低正向壓降、高反向耐壓的特性降低能量損耗。從工業驅動到新能源發電,Ixys 二極管模塊為各類系統提供了穩定的電流導向解決方案,是保障電力電子設備高效運行的關鍵器件。Ixys艾賽斯可控硅模塊支持高頻率工作,適用于對頻率響應要求高的電力轉換系統。IXYS艾賽斯DSEI2X31-10BIXYS艾...

  • IXYS艾賽斯VGO55-14IO7
    IXYS艾賽斯VGO55-14IO7

    MOS 管(金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管)是電壓控制型功率半導體器件,**通過柵極電壓形成導電溝道實現電流通斷控制,具有開關速度快、驅動功率小、高頻特性優異等優勢。Ixys 艾賽斯作為功率半導體**企業,其 MOS 管以高可靠性、低損耗、寬電壓覆蓋為核心競爭力,通過先進的芯片設計與封裝工藝,解決了傳統 MOS 管在大功率場景下的散熱瓶頸與電流不均問題。產品電壓等級覆蓋 100V-10kV,電流范圍從 1A 至 1000A,涵蓋單管、模塊等多種形態,適配從消費電子到工業高壓的全場景電力控制需求,在電源轉換、電機驅動、新能源等領域扮演著 “電力開關**” 的角色。IXYS艾賽斯模塊軌道交通模...

  • IXYS艾賽斯VBO55-12NO7
    IXYS艾賽斯VBO55-12NO7

    焊接設備對電力的精確控制和高效轉換有著嚴格要求,Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊在這方面表現出色。在焊接過程中,需要根據不同的焊接材料、焊接工藝和焊接要求,提供穩定、合適的焊接電流和電壓。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊能夠快速、精確地調節輸出功率,確保焊接過程中電弧的穩定性。其高電流承載能力和低導通損耗,使得焊接設備在長時間工作時也能保持高效運行,提高了焊接質量和生產效率。同時,模塊的可靠性保證了焊接設備在復雜工業環境下的穩定運行,減少了設備故障和維護成本,為焊接行業的發展提供了有力支持。IXYS艾賽斯模塊快恢復模塊反向恢復只要數十納秒,有效抑制高頻工況浪涌干擾。IXYS艾賽斯VBO55-1...

  • IXYS艾賽斯VUO34-08N01
    IXYS艾賽斯VUO34-08N01

    Ixys 艾賽斯可控硅模塊采用先進的封裝技術保障性能發揮,主流封裝包括平板型(Press-Pack)與模塊型(Module)。平板型封裝通過壓力接觸實現芯片與散熱片的緊密連接,導熱效率高,且具備優異的抗振動性能,適配大功率場景;模塊型封裝則采用直接銅鍵合(DCB)載板,陶瓷絕緣層導熱系數達 200W/(m?K),配合優化的內部布局,快速導出芯片熱量。部分*端型號集成溫度傳感器與電流檢測元件,便于實時監控模塊狀態。封裝材料采用阻燃環氧樹脂與無氧銅,通過 UL 與 IEC 認證,在 - 40℃至 125℃環境中穩定工作,兼顧電氣安全與機械可靠性。Ixys艾賽斯可控硅模塊國際標準封裝設計,便于安裝與...

  • IXYS艾賽斯MCMA35PD1200TB
    IXYS艾賽斯MCMA35PD1200TB

    Ixys 艾賽斯模塊封裝技術經歷了 “標準化 - 場景化 - 定制化” 的演進路徑。早期以 TO 系列、MODULE 標準封裝為主,滿足通用場景需求;隨后針對特定場景開發**封裝,如為消費電子設計 SOP/QFN 小型化封裝,為工業設備開發 SOT227B 緊湊型封裝;如今則提供全維度定制服務,可根據客戶需求調整引腳布局、散熱方式、集成功能,甚至開發全新封裝結構。例如為船舶電力系統定制耐鹽霧腐蝕封裝,為航空航天設備設計輕量化陶瓷金屬封裝,封裝材料均通過 UL、IEC 認證,工作溫度范圍覆蓋 - 55℃至 225℃。Ixys艾賽斯產品覆蓋IGBT、場效應管、整流橋等,為不同功率場景提供適配方案。...

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